SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性

打造新一代的数据中心，需要有多维度的技术考量，比如更高性能的计算架构、更大容量的高速存储、更大功率的配电系统

针对汽车电子中的48V轻混系统应用，英诺赛科推出了2.4kW 双向buck/boost 参考设计，为48V轻混系统提供先进解决方案。

DIA221X具有高精度电流检测，Vos最大值仅为0.2mV，增益误差0.5%，可用于低侧或高侧电流监控器

SC533AT采用思特威独特的SmartGS®-2 Plus技术，基于全局快门技术，结合背照式(BSI)像素结构设计，背面感光面积大幅提升

电化学模型很耗时，通常用于了解电池内部的反应过程，这比其他电池模型具有更好的准确性

本文将探讨消费类DRAM和工业DRAM之间的差异，并揭示不正确使用DRAM的风险

为了提高数据的安全性，SD8564具有IIC总线定时复位、时钟数据写保护等功能，以更好地保护时钟数据。

新产品均采用表面贴装型HSSOP31封装，与东芝之前的产品相比，表贴面积减小了约63%---这不仅缩小了电机驱动电路板的尺寸，同时也降低了电机高度。

多元融合高弹性电网将分布式电源和储能系统融入电网系统中，具有明显的负载可调特性，有助于电力系统调度控制从传统的“源随荷动”向“源网荷储友好互动”模式转变