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全链国产，全系覆盖，全面认证，纳芯微高边开关系列重磅发布！

纳芯微推出的高边开关系列提供1/2/4通道选择，导通电阻范围为8mΩ至140mΩ。客户可以根据不同负载大小灵活选择最适合的产品，从而优化系统性能和可靠性。

本文将深入探讨当今人机界面所采用的技术，包括触摸、手势、语音甚至脑机接口，并阐释这些技术的实现方式。

2024-08-19 | 人机界面

以1006 尺寸实现高电感，体积减少约5 成，有助于设备的小型化

本文以 “芯天成EsseFCEC”工具为例，来介绍形式验证的流程和基本概念。

产品采用先进的背照式技术，在GLT5009BSI可见光版本的基础上，DUV版本极大提升了UV范围的灵敏度

株式会社村田制作所开发出能在高温区域中进行高精度温度测量的高性价比SMD型负温度系数（NTC）热敏电阻，扩充了“NCU系列”、“NCP系列”的产品阵容。

2024-08-15 | 热敏电阻

2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR（复合年增长率）高达49%。

2024-08-14 | GaN, TrendForce

用于表面贴装技术（SMT）的KSC2系列轻触开关是一种IP67、3.5mm高瞬时动作轻触开关，配有软驱动器。

随着新一轮AI浪潮加速爆发，全球服务器市场持续繁荣，单台服务器的配置和性能也在逐步提升。

Teledyne e2v保证NXP LX2160 16核Arm®Cortex®A72处理器的军级版本在-55°C至+125°C可靠运行。

第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度

这款MCU具备丰富的模拟特性，内置可编程逻辑单元，可简化硬件设计，是高精度数据处理及灵活信号链设计的嵌入式系统的理想选择

村田首款实现了1608M尺寸且静电容量可达100µF的多层陶瓷电容器

在功率电子领域，一场技术变革正在发生：在越来越多的应用中，GaN和SiC等第三代宽禁带半导体器件正在逐步替代传统的硅（Si）基器件，扮演越来越重要的角色

2024-08-09 | SiC, 贸泽电子

本文介绍了桥式整流器工作原理与电路图，并介绍了相关产品。