长光辰芯发布GLT5009BSI-DUV版本,助力半导体缺陷检测

2024年8月15日,长光辰芯发布时间延迟积分(TDI)CMOS图像传感器GLT5009BSI深紫外(Deep Ultraviolet- DUV)增强版本。产品采用先进的背照式技术,在GLT5009BSI可见光版本的基础上,DUV版本极大提升了UV范围的灵敏度,结合GLT5009BSI固有的高分辨率、高灵敏度、高动态范围、宽光谱响应、低噪声等优异性能,DUV版本的应用领域进一步得到拓展,为半导体晶圆缺陷检测、半导体材料缺陷检测等应用提供更高效率、精准的检测支持。

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目前,在半导体晶圆检测系统中大多使用266nm的激光器。为了应对266nm下的晶圆检测需求,长光辰芯在GLT5009BSI可见光版本的基础上,通过优化晶圆表面像素层ARC膜系的结构,提升TDI传感器在DUV谱段的响应,使其在266nm波段的量子效率可达50%以上。GLT5009BSI-DUV版本的芯片,不仅其极高的行频保证了检测效率,同时也使得检测系统具有更高的灵敏度。

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GLT5009BSI-DUV QE曲线

DUV版本与可见光版本一样,采用5μm像素设计,水平分辨率为9072像素,芯片具有两个积分谱段,其TDI积分级数分别为256级和32级,用户可以根据其使用要求进行选择。GLT5009BSI-DUV具有16ke-的满阱以及6e-的读出噪声,其单幅动态范围达68dB,该芯片也可同时输出两个谱段进行高动态合成,进一步提升动态范围。该芯片还针对强光溢出问题进行了优化,其抗光晕能力可达到100x。

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GLT5009BSI-DUV版本保持了可见光版本的高行频特性,芯片最高可以输出608kHz@10bit以及300kHz@12bit的行频,芯片还支持片上2x2像素合并,在不损失行频的基础上,进一步提升灵敏度。

GLT5009BSI-DUV版本封装信息与可见光版本相同,在可见光版本的基础上, 用户无需改变任何硬件和软件设计,即可快速集成DUV版本的芯片。DUV产品即日起接受订购。

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