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Kioxia与Sandisk推出下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s的NAND接口速度

新的3D闪存的NAND接口速度将比目前正在大规模生产的第八代3D闪存提高33%，达到4.8Gb/s的接口速度。该技术还能提升数据输入/输出的电源效率，使输入功耗降低10%

ePOP4x产品将eMMC和LPDDR4x集成于一体，提供32GB+16Gb和64GB+16Gb的市场主流容量组合，实现了Flash与DRAM的二合一，并采用性能更强的控制器

CCM3310SQ-T量子安全芯片采用国芯具有自主知识产权的 32 位 CPU 安全内核 CS0 进行设计，具有低功耗、高性能、多功能及高安全性等特点

三款产品都能够有效抑制成像的运动形变与拖尾模糊等问题，实现高速准确成像。

广芯微电子采用自研UM32G421芯片，设计了一套稳定、高效、安全可靠的数字化固态直流断路器SSCB (Solid-State DC Breaker) 方案平台

TLP3414S与TLP3431S的断态输出端电压和通态电流额定值分别为40 V/250 mA和20 V/450 mA。

SGM842 支持 0V 至 30V 的宽共模电压范围，能够适应各种电源环境，确保器件在各种条件下都能稳定工作

该芯片可配置的24×n（n=2~12）矩阵，单芯片支持多达288个单色灯或96个RGB灯。芯片每通道4096级 PWM调光和256级直流白平衡调节

在AI PC时代，EC芯片作为PC系统的核心管理控制器，负责底层硬件控制、电源管理、安全启动、秘钥存储等关键功能

东芝TPH9R00CQ5 MOSFET具备仅为9.0 mΩ（最大值）的行业领先的低漏源导通电阻，相较于可被替代的150 V系列TPH1500CNH1，其导通电阻降低了约42%

DIA58104/8是帝奥微最新推出的多通道半桥预驱系列，采用7mm x 7mm的QFN封装，可控制多达8个半桥（最多16个n沟道MOSFET）

Exxelia的镀银云母电容器以高性能、稳定性、精度和可靠性著称，其中多个系列符合MIL军用标准。其高Q值设计可减少能量损耗，提高效率

通用LDO可在3-40 V的宽输入电压范围内提供稳定的3.3 V或5 V输出（精度达±2%），可直接连接汽车电池，无需额外的预稳压电路

AK4498EX与充当数字滤波器和ΔΣ调制器的AK4191搭配使用，可以轻松实现数字和模拟完全分离的DAC解决方案

2025-02-14 | AKM, AK4498EX, DAC

意法半导体正式推出STPOWER Studio 4.0，支持三种新的拓扑结构，分别为单相全桥、单相半桥以及三相三电平T型中点箝位（T-NPC）