TPH9R00CQ5

东芝TPH9R00CQ5 MOSFET具备仅为9.0 mΩ（最大值）的行业领先的低漏源导通电阻，相较于可被替代的150 V系列TPH1500CNH1，其导通电阻降低了约42%

TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。