快讯

GSENSE1081BSI作为长光辰芯目前靶面最大的图像传感器，具有89 mm x 91.2 mm的超大感光面积和8100万的高分辨率

ModCap HF具有低至8 nH的超低ESL值，平坦的ESR vs. 频率变化曲线，能在高频工况下大幅度减少损耗，非常适合用于快速开关基于SiC的逆变器

新产品采用融入了ROHM自有IC工艺的晶圆级芯片尺寸封装*2DSN1006-3，在实现小型化的同时还降低了功耗

高通®Wi-Fi 7沉浸式家庭联网平台 。通过紧凑、高能效且具备成本效益的芯片架构，高通Wi-Fi 7沉浸式家庭联网平台可带来超过20Gbps的系统总容量

AP43776Q 支持 USB 电力传输 (PD) 3.1 标准功率范围 (SPR) 和可程序电源 (PPS)，以及 Quick Charge™ QC5 快充协议。

株式会社村田制作所已将面向下一代功率半导体之一的GaN器件门驱动器的绝缘DC-DC转换器“MGN1系列”商品化。现已开始量产。

国星光电全新推出“NS62m SiC MOSFET功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。

该天线支持蜂窝、Wi-Fi、蓝牙和 GNSS 等多种功能，可帮助5G物联网终端客户快速实现5G/4G MIMO、Wi-Fi/蓝牙通信和GNSS定位等丰富功能。

该扩建项目将助力 Soitec 巴西立（Pasir Ris）工厂实现年产能翻番，300mm SOI（绝缘体上硅）晶圆产能将达到约 200 万片/年

电器中配电、上电排序和电源状态转换都需要负载开关，它可以减小待机模式下的漏电流，抑制浪涌电流，实现断电控制

该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状（方格状嵌入式SBD），以实现低导通电阻和高可靠性。

要回答这个问题，如果从共模辐射和差模辐射的发射模型公式可以明显看出，共模辐射能量强的多

Melexis推出全新的绝对磁性位置传感器芯片MLX90376，具备强大的杂散场抗干扰能力（SFI），适用于360°旋转汽车应用。

随着汽车电子行业需求量逐年增加，华岭股份与杰发科技在既有合作基础上，深化并创新企业合作模式。

SGM41566 是圣邦微电子推出的新一代线性充电芯片。产品支持无线充、太阳能电池、PFC 馒头波电源等较弱能力的松耦合电源充电

PMRO-Dx为业界提供首颗高集成度、高性能，同时成本可控的单芯片方案。

该背照式（BSI）图像传感器搭载创新的SmartGS®-2全局快门技术，依托思特威先进的模拟电路设计，支持出色的Trilinear彩色模式和32x模拟增益

本文将为大家解读SiC技术在矿机电源系统中的重要作用，以及贸泽电子平台在售的具有出色性能的SiC元器件。

村田的片状铁氧体磁珠“BLM15PX_SH1/BH1系列”通过运用特有的内部电极成形技术进行全新结构设计，在实现可以产生大电流及低内阻的同时，还能获得更高的阻抗特性

该产品的最低数据传输速率也高达8Gbps，较之目前DDR5产品4.8Gbps提高了80%以上。