聚焦电子元器件选型、采购与应用技术

作者：英飞凌科技功率半导体和系统工程部杰出工程师Gerald Deboy 博士

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<li>实现了与标准产品相当的低电阻，树脂层仅覆盖端子电极的一部分</li>
<li>新3216尺寸产品的电容为10㎌，3225尺寸产品的电容为22㎌</li>
<li>符合AEC-Q200标准</li>
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TDK株式会社（TSE:6762）扩展了其CN系列积层陶瓷贴片电容器（MLCC）产品阵容，这是同类产品中的首款产品。新3216尺寸产品（3.2 x 1.6 x 1.6 ㎜）的电容为10 μF，3225尺寸（3.2 x 2.5 x 2.5 ㎜）的电容为22 ㎌，提供了低电阻树脂电极，具有与标准产品相当的低端子电阻。新产品将于2021年9月开始量产。

SiC SBD的高耐压（反压）特性

碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。

Si和SiC的物理性质比较

Littelfuse推出无需外部电源设备的光隔离负载偏压栅极驱动器—— CPC1596

非常适合需要快速接通的工业、楼宇自动化、物联网和其他大功率电子应用

TDK推出超紧凑型X2电容器

TDK集团针对噪声抑制应用推出新的爱普科斯(EPCOS) 超紧凑型X2电容器，额定工作电压为 275 V AC，容值范围为33 nF ~ 1 µF。且各型号具有不同的引线间距，分别为 10 mm (B32921X* / Y*)、15 mm (B32922X* / Y*) 和 22.5 mm (B32923X* / Y*)，具体视容值而定。新元件的一大亮点是超紧凑的尺寸，仅为4.0 × 9.0 × 13.0 mm (33 nF) ~ 10.5 × 16.5 × 26.5 mm (1 µF)，具体同样取决于容值。该型电容器通过UL、EN和IEC 60384-14:2013标准认证，采用阻燃等级为UL 94 V-0的外壳和灌封材料，最高工作温度可达110 °C。

为48V数据中心应用提供高功率密度的开关电容中间总线转换器

伟创力电源模块（Flex Power Modules）现已发布非隔离式开关电容中间总线转换器（IBC）BMR310，这款产品可为数据中心应用提供高功率密度的产品，从而改善电路板空间利用率并为其他元器件释放空间。

BMR310基于英飞凌科技专有的零电压开关式开关电容转换器（ZSC）技术制造，在半载情况下可实现98%以上的效率，产品封装小，并且可连续提供高达875W的输出功率。其可在40V至60V的输入电压范围内工作，而得到10V至15V的未稳压输出电压。

瑞萨电子推出基于热电堆的全新CO2传感探测器扩展医疗和工业环境传感产品阵容

TO-5封装的单通道和双通道探测器为CO2传感器提供卓越的性能、质量和寿命

瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，扩展环境传感器产品阵容，推出首个基于热电堆的探测器产品家族，该探测器集成了用于光学（NDIR）CO2传感器的光学滤波器。四款全新单通道和双通道CO2气体模拟探测器均采用TO-5封装，具有卓越的性能、质量和使用寿命，使其成为在高温操作条件下要求高可靠性、高精度的各类工业、医疗及物联网应用的理想选择。

Melexis 推出集成红外带通滤波器的 QVGA 分辨率飞行时间传感器芯片

MLX75026 搭载全集成红外滤波器，可改善系统杂散光性能

你的MOSFET为什么发热那么严重？

在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。

MOSFET工作原理 
什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体。

为何设计可靠电源时应考虑真实电压源

实际使用中，电源的来源从来都不理想。构建可靠的电力系统需要考虑包括寄生在内的实际行为。在使用电源时，我们要确保开关稳压器等DC-DC转换器能够承受一定的输入电压范围，并能以足够的电流产生所需的输出电压。输入电压经常指定为一个范围，因为通常无法精确调节。但是，为了使电源可靠地工作，输入电压必须始终在开关稳压器允许的范围内。

例如，12 V电源电压的典型输入电压范围为8 V至16 V。图1所示为从12 V标称电压产生3.3 V电压的降压型转换器（降压拓扑）。

直流二倍压电路的原理详解

说明：要理解倍压电路，首先要将充电后的电容看作一个电源。可以和供电电源串联，就像普通的电池串联的原理一样。

【科普小贴士】什么是化合物半导体？

除了硅，还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如，GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、InGaAlP（磷化铝镓铟）等通常用于高频器件和光学器件。

近年来，InGaN（氮化铟镓）作为蓝光LED和激光二极管的材料引起了人们的广泛关注，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为功率半导体材料也得到了一定程度上的关注和商业化。

【科普小贴士】什么是pn结?

p型和n型半导体之间的接触面即称为PN结。

p型和n型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。

在这种状态下，将“＋”极连接到p型区，将“-”极连接到n型区，并施加电压使得电子从n型区顺序流动到p型区。电子首先会与空穴结合而消失，但多余的电子会移动到“＋”极，这样就产生了电流流动。

Pasternack扩展了低PIM同轴线缆组件产品线，该产品线可提供<-160 dBc PIM

新型低PIM线缆产品包括扩展线缆和连接器选项

Infinite Electronics 旗下品牌，业界领先的射频、微波和毫米波产品供应商 Pasternack 最近在Super Flex 线缆基础上扩展了其低PIM同轴线缆组件产品线，它是Times Microwave的畅销线缆产品。该产品线适用于无线基础设施安装、分布式天线系统（DAS）和其他低PIM应用。新线缆有标准长度和定制长度，均可当日交货。

运算放大器的转换速率SR (Slew Rate)

转换速率是表示运算放大器的工作速度的参数。

表示输出电压在规定的单位时间可变化的比例。

例如，1[V/µs]表示在1[µs]内可使电压发生1[V]的波动。

理想运算放大器可忠实地输出任何输入信号对应的输出信号，但实际上还存在一种叫做转换速率的限制。

给输入施加上升沿和下降沿比较陡峭的矩形波脉冲时，表示输出电压在单位时间内可发生什么程度的变化。下图表示转换速率的定义。

转换速率测量电路和波形图

思特威推出三款全新SmartGS-2技术的工业应用CMOS图像传感器

思特威（SmartSens），正式推出三款全新SmartGS®-2系列图像传感器——SC350HGS / SC650HGS / SC950HGS，以高帧率无形变的清晰影像赋能3MP~9MP智能化应用工业相机。

UnitedSiC 第四代 750V SiC FET新增9款器件，提供更多产品选择

UnitedSiC第四代750V SiC FET现在以不同价格提供更多导通电阻选择，以便灵活应用于各种应用。

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