<p><em>新的门驱动器节省了六分之一的模块;大大降低了系统的复杂性</em></p>
<p>n型半导体是指以磷(P)、砷(As)或锑(Sb)作为杂质进行掺杂的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子,第V组的磷有五个价电子。如果在纯硅晶体中加入少量磷,磷的一个价电子就可以作为剩余电子自由移动(自由电子*)。当这个自由电子被吸引到“+”电极上并移动时,就产生了电流流动。</p>
<p>运算放大器中有表示特性的代表性参数。</p>
<p><strong>放大率和电压增益<放大率和电压增益></strong></p>
<p>若给放大电路的输入增加电压,则在其输出时,会出现输入电压放大率的倍数。该放大率用输出电压的大小除以输入电压的大小所得的值表示。</p>
<ul>
<li>基于霍尔效应的新型双芯片3D位置传感器HAR® 39xy系列 (HAR 3900 和 HAR 3930)可实现有源杂散场补偿</li>
<li>SSOP16封装中的完全冗余器件</li>
<li>高度灵活的器件架构,支持各种数字接口(SPI、PWM输出和SENT,符合 SAE J2716)</li>
</ul>
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<p>宇阳科技于近期推出行业最小尺寸的008004(0.25*0.125*0.125mm)超微型MLCC产品,作为国内首家通过权威机构-中国赛宝实验室检测鉴定,获得行业协会和终端客户的高度关注和认可。</p>
<p>008004尺寸超微型MLCC主要用于IC内埋、SIP封装、智能穿戴及移动设备升级等,与现有01005尺寸 (0.4mm*0.2mm*0.2mm) 相比较,贴装占有面积比率减小了大约40%,通过削减贴装占有空间,能够为终端产品或模组进一步小型化和高集成作出贡献。</p>
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<p><strong>陶瓷电容真的会老化?什么是十倍时?</strong></p>
<p>随着时间的推移,陶瓷电容会因结构的变化而失去一部分容值。这种损耗是无法避免的,但可以测量并确定。原厂通常会使用十倍时作为这一损失的计量单位。</p>
<p>SGM61012/SGM61022是一颗低压同步降压型DC-DC转换器芯片,采用了圣邦微电子全新研发的AHP-COT(Adaptive Hysteresis and Pseudo-Constant On-Time Control)架构(专利审查中),具有超快的负载或线电压瞬态响应特点。</p>
<p><em>作者:周利伟,英飞凌工业功率控制事业部大中华区应用工程师</em></p>
<p>在我们的日常工作中,经常会碰到器件失效或系统故障,这时为了清楚界定失效事件的严重性,就需要定量的来描述具体的失效率,这就需要用专业的术语来沟通,而有的工程师喜欢谈FIT,有的工程师喜欢谈MTBF,其实这两个概念所描述的主体是不一样的,因此有必要在此简析一下。</p>
<p>FIT,是英文Failures In Time的缩写,从其字面意思可知,它是以时间维度来表述失效率的,实际上它是描述“器件”失效率或故障率的单位。故障率(λ)是指正常工作的n个器件在运行一定时间t之后,其中丧失其规定的功能的r个器件所占的比例,公式表述为:</p>
<p>NFM 三端子滤波电容器设计用于超大电流低等效串联电感 (ESL) 芯片。该ESL值低且极为可靠,并具有高频特性。这些电容器适合用于为高速工作的电源去耦,可在高达几百MHz的高频范围内提供良好的噪声抑制效果。</p>
<p><em>坚固耐用的铜夹片FlatPower封装CFP15B获得各大一级汽车供应商的青睐,用于发动机控制单元</em></p>
<p>基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布,公司研发的表面贴装器件-铜夹片FlatPower封装CFP15B首次通过领先的一级供应商针对汽车应用的板级可靠性 (BLR)测试。该封装将首先应用于发动机控制单元。</p>
<p>BLR是一种评估半导体封装坚固性和可靠性的方法。测试遵循极为严格的程序,在十分注重安全性和可靠性的汽车应用中具有重要的指导意义。随着汽车行业向电动和车联网转型,车载电子系统越来越复杂,因此该认证至关重要。</p>
<p><em>电感器采用 19 mm x 19 mm x 7 mm 封装,性能优于6767器件,成本低于8787电感器</em></p>
<p><em>意法半导体发布通用多区测距FlightSense™ 飞行时间传感器,为各种消费电子和工业产品带来精密的测距解决方案。</em></p>
<p>输入偏置电压是指有差分输入电路的运算放大器或比较器带有的误差电压。理想运算放大器或比较器的偏置电压为0V。</p>
<p>给运算放大器或比较器的输入引脚输入同相(相同)电压时,理想运算放大器不会输出偏置电压,但存在输入偏置电压时,就会输出与输入偏置电压相应的输出电压。</p>
<p>将该输出电压控制为0V所需的输入引脚间的电压差被称为输入偏置电压,该值为输入换算值。</p>
<p>作为输入换算表示的优点是,由于运算放大器、比较器可在各种放大率或电路结构中使用,若作为输入换算电压表示,那么就可以轻松地估量其对输出电压的影响。</p>
<p>偏置电压的单位一般表示为[mV]或[µV]。</p>
<p>UnitedSiC(联合碳化硅)公司,现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件,从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半,并且还提供了鲁棒的5μs额定短路耐受时间。今天所发布的产品包括750V SiC FET系列中的9种新器件/封装选项,额定值为6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封装的方案,同时18、23、33、44和60mΩ器件还提供了采用TO-247-3L封装的方案。这一750V扩展系列与现有的18和60mΩ器件相辅相成,其为设计人员提供了更多的器件方案,实现了更大的设计灵活性,因此可实现最佳的性价比权衡,同时保持充足的设计裕度和电路鲁棒性。</p>
<p>Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 推出 <a href="https://www.diodes.com/part/AP22653Q">AP22653Q</a> 可编程限流电源切换器。这款符合汽车规格的装置简化电源系统设计,同时确保经久耐用,提供受控与保护的电源路径。其额定连续负载电流高达 1.5A。主要产品应用有保护车辆 USB 端口及 ECU 供电轨,以及信息娱乐和远程通讯子系统。</p>
<p>p型半导体是指掺杂了硼(B)或铟(In)的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子,第III组的硼有三个价电子。如果将少量硼掺杂到硅单晶中,在某个位置上的价电子将不足以使硅和硼键合,从而产生了缺少电子的空穴*。在这种状态下施加电压时,相邻的电子移动到空穴中,使得电子所在的地方变成一个新的空穴,这些空穴看起来就像按顺序移动到“–”电极一样。</p>
<p id="sub-headline-text"><em>新款 Topaz 传感器是移动应用的理想选择,价格非常有吸引力,性能却没有打折扣。</em></p>
<p>株式会社村田制作所完成对Eta Wireless, Inc.公司的收购。Eta Wireless拥有削减功耗的“Digital ET技术”,该技术是最优化RF电路的电压并削减功耗的特有电力控制技术,用于与终端收发信号功能相关的RF电路。</p>
<p>近年来,随着移动终端的IC的高性能化和多功能化发展,终端机性能也在不断提高,削减终端机的功耗越显重要。在各电子元器件的开发当中,以往为削减功耗而进行的硬件精细制作及模拟手法也遇到了新的问题,即针对5G以及下一代的6G等宽带信号,其改善效果有限。</p>
<p><em>精密电阻采用1206和2512两种外形尺寸,TCR低至± 25 ppm/°C,精度为± 0.1 %</em></p>
<p> XP Power正式宣布推出稳压输出外壳AC-DC电源LCW系列,是嵌入式工业电子、技术和需要家庭认证的设备的理想选择。九个新系列(LCW15、LCW25、LCW35、LCW50、LCW75、LCW100、LCW150、LCW200和LCW320)的功率水平从15W到320W不等。所有模块均符合EN 55032 B级传导和辐射标准,便于低成本集成,并配有集成连接器盖,以提高安装后的安全性。</p>
<p>LCW系列的输入电压范围为85至305VAC,满足全球监管要求,适用于100VAC至277VAC的额定输入,150W、200W和320W模块具有主动PFC功能。应用范围包括辅助电源、安全装置、照明控制、智能家居或办公系统,以及票务和自动售货机。</p>





