<p>负离子发生器模块具有较高的可靠性和安全性。通过特有的高压电路、绝缘技术以及发生器结构设计，可以更低的电压高效地产生负离子。本视频将通过使用负离子发生器模块的演示，对产品进行说明。</p>

<p><iframe allowfullscreen="" frameborder="0" height="400" src="//players.brightcove.net/4741948346001/Dque1VpS_default/index.html?videoId=6268559180001" width="600"></iframe></p>

<p>压力传感器是传感器中较大门类，广泛应用于汽车、工业、物联网等领域，陶瓷电容作为压力传感器中一种主要技术路线，具有耐腐蚀、抗冲击、介质兼容性好的优点，。本文介绍陶瓷电容原理及典型应用，以供压力传感器工程人员参考。</p>

<p><strong>常用压力传感器技术类型</strong></p>

<p>压力传感器一般用于对传感器敏感器件所处气体或液体氛围的压力测量，一般用于反馈给系统主控单元，实现系统精确控制。压力传感器作为传感器中的一大门类，在汽车、工业、家电、消费电子等不同行业均有广泛的应用。常用压力传感器从感测原理来区分，主要包括如下几大类：</p>

<p>钽电容器是一种电介体使用了钽金属的电介电容器。在钽金属粉表面形成五氧化钽膜，作为电介体。其特点如下表所示。相比其他电容器，钽电容器为小型，大容量产品。相比陶瓷电容器等大容量产品，对于电压和温度具有非常高的容量安定性。</p>

<p><strong>电容器特点对比一览表</strong></p>

<p>全球第一大MLCC制造商村田制作所，由于新冠疫情关系，在8月最后一周，停工了位于日本福井县的MLCC主力制造工厂武生事务所，并于9月1日，全面复工。外界普遍推测，正值iPhone 13的发布前夕，MLCC的短暂停工，可能会影响到iPhone、以及Sony Play Station在内相关产品的生产计划。</p>

<p><strong>村田制作所：对MLCC供货产生的影响有限</strong></p>

<p>村田表示，尽管武生事务所的停工一定程度上会降低MLCC的生产量，对业绩的影响仍在核算中。但是对客户的供货承诺和时间周期的影响会降到最低。</p>

<p>问一个简单而又很难回答的电路问题：电路中的地线GND，它的本质是什么？</p>

<p>在PCB Layout布线过程中，工程师都会面临不同的GND处理。</p>

<p>这是为什么呢？在电路原理设计阶段，为了降低电路之间的互相干扰，工程师一般会引入不同的GND地线，作为不同功能电路的0V参考点，形成不同的电流回路。</p>

<p><strong>GND地线的分类</strong></p>

<p><strong>1. 模拟地线AGND</strong></p>

<p><em>作者：周利伟 ，文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/6TRUWXnrF7yPQaAtI1ldmQ">英飞凌工业半导体</a></em></p…;

<p>硅（Si）和锗（Ge）是众所周知的半导体材料。当它们是纯晶体时，这些物质接近绝缘体（本征半导体），但是掺杂少量的掺杂剂就会导致电阻大幅度下降，变成导体。</p>

<p>根据掺杂剂的种类，可以制成n型或p型半导体。</p>

<p>Murata MGJ2 2W双极输出SMT直流-直流转换器非常适合用于为工业、可再生能源和移动应用中的IGBT和基于SiC的MOSFET高压栅极驱动器的“高侧”和“低侧”栅极驱动电路供电。这些器件的额定功率为2W，具有紧凑的薄型外形模块，尺寸为19.49mm x 14.99mm x 4.39mm。MGJ2直流-直流转换器有12V和15V电源轨可选，提供+15V/-5V、+15V/-9V和+20V/-5V双极输出选项，工作温度范围为-40°C至+100°C。</p>

<p><strong>特性</strong></p>

<p><em>作者：法拉电子技术中心&nbsp;黄顺达</em></p>

<p>所有电容器的性能、储存寿命和使用寿命很大程度取决于他们所在的环境条件。不仅要考虑单一环境因素对电容器的关系，而且必须要考虑这些环境因素不同组合的效应。</p>

<p>影响电容器性能和寿命的主要环境因素是:环境温度、湿度、振动、冲击、加速度及大气压力等，对这些单一的环境因素影响扼要讨论如下：</p>

<p><em>作者：Yalcin&nbsp;Haksoz, 英飞凌科技首席工程师</em></p>

<p><strong>引言</strong></p>

<p>当今的功率变换器设计师正在努力寻找新技术新方法，以进一步提高变换器的效率极限和功率密度极限。基于宽带隙半导体技术的氮化镓（GaN）晶体管是目前最具潜力的技术方向之一。与硅器件相类似，单只GaN晶体管的电流处理能力仍有局限。在大功率变换器设计应用中，并联配置GaN晶体管是目前常用的解决方案。由于GaN晶体管材料和结构的特殊性，其并联配置方案与传统硅晶体管并联配置方案有所不同。</p>

<p>随着产品的电子化和高密度化发展，噪声环境变得越来越差，对于放大传感器等微小信号的运算放大器来说，降噪对策已经成为重要课题。</p>

<p>近年来，已经推出了很多抗雜訊运算放大器，市场对这类产品的需求也与日俱增。在这里介绍一下这些噪声的定义。</p>

<p><strong>噪声特性</strong></p>

<p>噪声通常被称为“EMC（Electromagnetic Compatibility，电磁兼容性）”，是指“不对其他设备产生噪声干扰；即使受到来自其他设备的噪声干扰，仍保持原有的性能”这两种性能。但是，在现场中具体使用时，使用“EMI”和“EMS”这两种由EMC分类出来的表达方式。</p>

<p><em>与第一代产品相比，低功耗&nbsp;SPAN AEC将功耗降低了&nbsp;50%，线缆长度增加了40%</em></p>

<p>专注为800G/400G/200G/100G/50G端口网络提供高性能、低功耗先进连接解决方案的全球创新领导者&nbsp;Credo今日宣布：推出公司第二代HiWire低功耗SPAN有源电缆（HiWire LP SPAN AEC）系列产品。创新的LP SPAN系列在线缆功耗和长度上都明显优化。</p>

<ul>
<li>
<p>工作温度可达125℃</p>
</li>
<li>
<p>高耐用的导电树脂基电极</p>
</li>
</ul>

<p>TDK株式会社推出用于汽车的KCZ1210AH系列小型共模滤波器。该系列产品设计紧凑，尺寸为1.25（长）x1.0（宽）x0.5（高）mm，有助于减少其在基板上所占的空间，并为汽车的不同传输信号线提供了噪声控制功能。</p>

<p>Qorvo宣布，Murata&nbsp;采用Qorvo IC推出了小型超宽带技术 (UWB) 模块，尺寸仅为 10.5 mm x 8.3 mm x 1.44 mm。该模块具有高精度、高可靠性和低功耗等特性，可确保紧凑的电池驱动型物联网设备以尽可能高效且经济的方式运行。</p>

<p>Type 2AB UWB + Bluetooth^®&nbsp;low-energy (BLE)&nbsp;连接模块采用短程射频 (RF) 技术，可用于必须实现精确检测的各种应用，包括确保在工作场所保持社交距离，以最大限度地减少新冠肺炎的传播。</p>

<p>东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始量产M4G组中用于高速数据处理的20种新器件。M4G组是TXZ+^TM族高级系列的新成员，采用40nm工艺制造。这些产品采用带FPU的Arm Cortex-M4内核，运行频率高达200MHz，内部集成2MB代码闪存和32KB数据闪存，具有10万次的写入周期耐久性，此外还提供了丰富的接口和通信选项。因此，M4G组器件非常适用于办公设备、楼宇和工厂自动化应用。</p>

<p>光继电器是一种光耦。光耦由输入侧的一个LED和输出侧的一个光电检测器组成，二者在内部组合在一起；光耦产品会因输出侧光电检测器的类型而有所不同。光耦产品的主要类型包括晶体管输出光耦、IC输出光耦、双向可控硅输出光耦和MOSFET输出光耦（称为“光继电器”）。</p>

<p>器件通过AEC-Q200认证，工作电压达3 kV，采用2010和2512外形尺寸，可替代标准电阻串</p>

<p>日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE 股市代号：VSH）推出通过AEC-Q200认证的新系列厚膜片式电阻---<a href="http://www.vishay.com/ppg?20082">RCV-AT e3</a>，工作电压达3 kV，外形尺寸为2010和2512。</p>

<p>思特威（SmartSens）正式推出搭载DSI-2技术的全系列升级图像传感器新品——SC2336与SC3336，以高品质的视频解决方案赋能2MP-3MP安防及车载智视应用发展。</p>

<p><em>通过提升汽车激光雷达应用的探测和识别能力，增强未来移动出行的安全保障</em></p>

<p>索尼半导体解决方案公司今天宣布即将推出行业首创^*1的直接飞行时间(dToF)堆叠式SPAD（单光子雪崩二极管）深度传感器IMX459，可用于汽车激光雷达。</p>

<p>_{*1：作为应用于汽车激光雷达的堆叠式SPAD深度传感器，截至2021年9月6日发稿时间。}</p>

<p><em>SCALE-2技术可优化外形尺寸，提高耐压在3300V以内的功率逆变器和变换器的效率、性能和可靠性</em></p>