PI7C9X762Q提供完整的双向协议转换，支持高达 33Mbps 的 SPI 时钟速度。UART 包括 64 字节的 TX/RX FIFO，具有可编程触发电平，支持可编程字符格式

ROHM今日宣布，成功开发出在2012尺寸分流电阻器（10mΩ～100mΩ）领域实现业界超高额定功率的“UCR10C系列”产品。

每次在手机上秒开应用、在游戏中流畅切换场景，你是否想过——这种“无延迟”的体验，其实很大程度上取决于设备里那颗小小的存储芯片。

该系列 1311 纳米激光器在 55℃ 环境下可稳定输出超过 400 毫瓦功率，同时实现谱线宽度低于 200 kHz

Omdia的最新研究，全球可穿戴腕带设备市场正在蓬勃发展，2025年第二季度，出货量达5020万台，同比增长13%。

该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势。

在之前的课程中，我们一同走进了负载开关IC的世界，初步了解了其基本知识，为后续深入探索奠定了基础。而在实际电路设计中，要想得心应手地运用负载开关IC

这次将特别介绍压电(Piezo)器件，介绍其应用装置之一“叠层压电振动片”，究竟什么是压电器件？叠层压电振动片发挥作用的构造是什么？本系列为您讲清楚。

本文以 NSI1306 隔离 ΣΔADC 的应用为例，首先剖析 Shunt 电阻误差如何引发速度波动，再深入解析金属热电偶效应的形成机理

SGMNQ12340 具有低导通电阻的显著特点，其典型值仅为 13mΩ（V_GS = 10V），最大值不超过 18mΩ（V_GS = 10V），能有效降低导通损耗

该阵列产品尤其适用于规模化人工智能网络纵向扩展中的“低速大带宽”互连场景，能够为短距离传输打造出高效节能且结构紧凑的链路，满足现代数据中心日益增长的数据流量需求。

在高速数字系统成为主流之前，电路板和集成电路电源轨上经常会使用设计拙劣的电源分配网络（PDN），阻抗高达 250 毫欧。

村田制作所已实现低功耗、可数字输出的SMD小型热电型红外线传感器“IRS-D200ST00R1”的商品化，目前已开始量产。

UFS 4.1 的升级方向，就正是针对这些现实痛点。它在顺序和随机读写上的速度都有了明显提升，尤其是随机写入，提升3.7倍，这对于车机系统的多任务处理非常关键

CCFC3009PT采用RISC-V架构6+6核设计，算力超过10000DMIPS（6个运算主核+6个锁步核，也可以根据用户需要解耦配置主核与锁步核数量）

本文围绕基于SiC分立器件和功率模块的功率因数校正器（PFC）级，分析并比较了二者在车载充电器（OBC）应用中的性能。

Melexis推出MLX90514双输入电感传感器芯片（IC）。这款新型器件可同时处理两组线圈的信号，并在片上计算差分角度或游标角度。

MKP1848e系列的工作温度高达+125 °C，同时拥有高达44.5 A的纹波电流能力，以及高湿热条件下的高可靠性

本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。

Coherent 高意同步优化了光信道监测（OCM）技术，扫描时间缩短 50%，单模块支持多达 32 个监测点