<p>半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。</p>

<p><em>左图：iPMSEL阵列由16个发光单元组成。右图：由VCSEL、DOE和iPMSEL阵列组成的光束模式光源概念图。</em></p>

<p>近日，滨松光子（Hamamatsu Photonics）宣布其开发出一种高密度集成技术，用以创建iPMSEL（可集成相位调制表面发射激光器）阵列元件。该公司表示，作为全球最小级别的半导体激光器，它能够发射2D模式的激光束。滨松在一份声明中表示：“通过利用这项技术，我们成功地开发了一款iPMSEL阵列，该阵列由16个发光单元组成，在面积为2平方毫米的微型芯片上形成四排四列的布局。”</p>

<p><em>作者：黄刚，文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/rkKEj8AFdr4Sxg59X-6s9Q">高速先生</a></em></p&gt;

<p>大家估计知道一对高速信号孔旁边需要加地过孔，但是要加多少个呢？相信广大粉丝们心里是没底的，别急！高速先生今天帮大家量化出来哈。</p>

<p>相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的C_OSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。</p>

<p><strong>JFET的操作</strong></p>

<p>JFET：结型场效应晶体管</p>

<p>（1）在N沟道结型场效应晶体管（图3-3（a））中，当在漏极和源极之间施加电压时，电子从源极流向漏极。</p>

<p>（2）当在栅极和源极之间施加反向偏压时，耗尽层扩大并抑制（1）中的电子流动。（使电子流动的路径变窄）</p>

<p>（3）如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加，耗尽层就会阻塞通道，电子流动停止。</p>

<p>如上所示，施加在栅极和源极之间的电压控制着漏极和源极之间的状态。所以场效应晶体管是电压驱动的器件。</p>

<p><em>本文转载自：<a href="https://www.mouser.cn/blog/cn-rfid-nfc-intro-with-solutions2">贸泽电子</a><…;

<p>我们生活在一个日益无线化的世界，无现金支付或访问控制已经成为常态化。细心的读者可能早已注意到，一些商店的收银台也开始出现“无人化”趋势，比如优衣库、迪卡侬这些大家时常光顾的商店，均已采用自助式结账。</p>

<p>MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计不当，容易造成器件甚至系统的失效，因此发这篇文章将栅极常见的电路整理出来供大家参考讨论，也欢迎大家提出自己的观点。</p>

<p>MOSFET栅极电路常见的作用有以下几点：</p>

<p>1、去除电路耦合进去的噪音，提高系统的可靠性。</p>

<p>2、加速MOSFET的导通，降低导通损耗。</p>

<p><em>器件可在+125 °C高温下工作，经过500小时85 °C/相对湿度85 %条件下温湿度偏压测试</em></p>

<p>日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列vPolyTanÔ表面贴装聚合物钽模塑片式电容器---<a href="http://www.vishay.com/ppg?40254">T50系列电容器</a>，在高温高湿条件下具有可靠性能。</p>

<p>电源输出电容一般是100 nF至100 μF的陶瓷电容，它们耗费资金，占用空间，而且，在遇到交付瓶颈的时候还会难以获得。所以，如何最大限度减小输出电容的数量和尺寸，这个问题反复被提及。</p>

<p><strong>输出电容造成的影响</strong></p>

<p>论及此问题，输出电容的两种影响至关重要：对输出电压纹波的影响，以及在负载瞬变后对输出电压的影响。</p>

<p>思特威（SmartSens）正式推出基于其全性能升级技术SmartClarity®-2面向智能安防应用的4K图像传感器8MP新品——SC830AI。至此思特威已推出了覆盖2MP~8MP安防主流的全性能升级产品，AI Series产品线布局进一步完善。</p>

<p><em>&nbsp;作者：陈子颖 ，来源： <a href="https://mp.weixin.qq.com/s/7570E9ROZWc0Z5_OZvdaIA">英飞凌工业半导体</a></em></p…;

<p><strong>IGBT短路特性</strong></p>

<p>本文分别介绍了电容、电感、电磁兼容的基础知识。</p>

<p>可定制器件采用小型两件式结构，工作温度达+105 °C，适用于各种恶劣商用环境</p>

<p>TDK集团（东京证券交易所代码：6762）针对工业应用推出带坚固不锈钢外壳的新型差压变送器—— B58622M32* 系列，扩展了MiniCell®产品组合。新系列元件有五种型号可供选择，测量范围为 0 - 500 mbar 至 0 - 10 bar，补偿温度范围为 -20°C 至 +140°C，尺寸为 57 x 34 x 39 mm（含各种接口）。</p>

<p>新元件具有一个突出亮点，即可耐受各种介质，其两个压力端口均配备高品质AISI 316L 不锈钢合金膜片，可通过油填充且介质隔离的传感器单元将压力传输到传感器芯片。这样可避免传感器芯片直接接触介质，使得传感器可用于测量腐蚀性液体和气体的压力。</p>

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<p>文章来源：&nbsp;<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/ufj8Qt2Mhf8uhj-BaWHrQA">得捷电子DigiKey</a></p&gt;

<p><strong>问：运算放大器输出电压反相</strong></p>
</section>

<p>BRT是指偏置电阻内置型晶体管。BJT通常配合电子设备中的电阻器使用。使用BRT（集成了晶体管和电阻器）可以减少安装面积。</p>

<p><img alt="BJT的应用示例" data-entity-type="file" data-entity-uuid="2e7b1324-bff0-40da-8617-331af1ddc649" src="/sites/default/files/inline-images/chap3-3-1_en.png" /></p>

<p>利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。分享本文，分析限幅电路和钳位电路，是如何用二极管来实现的。</p>

<p><strong>限幅电路</strong></p>

<p>&nbsp; &nbsp; 如下图所示，当在正半周期，并且V_IN大于等于0.7V，二极管正向导通。此时，</p>

<p>V_OUT会被钳位在0.7V上。</p>

<p><em>作者：&nbsp;陈虎，文章转载：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/sqRN1SXLKlcNC4IUCSk0QQ">凡亿PCB</a></em></p&gt;

<p>首先我们需要知道什么是ESD？</p>

<p><em>通过双触点端子提高可靠性：JAE推出了使用特殊浮动技术的AX01高速浮动式连接器系列。这些连接器的有效 x 和 y 方向间隙为±0.5mm。</em></p>

<p><em>DER-937是一款采用高度集成的升压PFC和氮化镓反激式开关IC设计的100W USB PD充电器，总共仅使用117个元件</em></p>