功率半导体电流额定值和热设计
电气设备（如断路器，电机或变压器）的电流额定值，是指在某个电流下，器件本身达到的温度可能损害器件可靠性和功能时的电流值。制造商虽然知道器件材料的温度限值，但是他并不知道使用器件时的环境温度。因此，他只能假设环境温度。这就带来了两种后果
东芝新建300毫米晶圆厂房扩大功率半导体产能
东芝今天宣布将在其主要的分立半导体生产基地（石川县的加贺东芝电子株式会社）新建一座300毫米晶圆厂房，用于生产功率半导体。厂房建设将分两个阶段进行，以便根据市场趋势优化投资步骤。
艾迈斯欧司朗红外点阵投射器Belago 1.1为Luxonis新型机器人3D视觉系统“点睛”
Belago 1.1点阵投射器可投射出由5,000个单独的红外光点组成的图案，助力3D视觉提升深度性能。这些光点是艾迈斯欧司朗通过将红外VCSEL芯片与微透镜阵列（MLA）光学系统相结合而产生的。
英飞凌推出带有SPI接口的车用双通道高压侧栅极驱动器EiceDRIVER™ 2ED4820-EM
EiceDRIVER APD系列中的这款智能双通道高压侧栅极驱动器2ED4820-EM能承受低至-90 V的负电压（Vbat），以及高达+105 V的正电压 —— 在短路或接触不良情况下，就可能会出现这样的大范围电压波动状况。
详解时域瞬态分析技术
当打开或关闭 LED 时，随着光线变亮或变暗有一个缓慢的过渡。这种类型的瞬态行为非常简单，但这是一个电子系统改变状态时的基本反应。使用瞬态分析可以充分理解时域中的信号转换，以及它们与重要系统参数的关系。
村田制作所温室气体减排目标获得SBT认定
株式会社村田制作所此前制定了截至2030财年的温室气体（简称GHG）减排目标，由于该目标依照《巴黎协定》，旨在“努力将全球气温升幅控制在比工业革命前高出1.5℃之内”，并以科学依据为基准而制定，因此获得了国际倡议组织“SBTi（Science Based Targets Initiative 科学减碳倡议组织）”的SBT认定。
XP Power推出100W AC-DC电源，适合工业，技术&医疗设备应用，包括BF
FCB100系列可在-25°C至+70°C的环境温度下工作。通过外部强制空气冷却，该产品在+50°C时可提供100W的功率，在+70°C时可线性降额至50W。
Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET
60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通电阻，工作温度可达+175 °C以及高连续漏极电流。节省空间的PowerPAK® 8x8L封装采用无引线键合鸥翼引线结构消除机械应力，有助于提高板级可靠性。
东芝推出新款MOSFET栅极驱动IC，助力缩小设备尺寸
东芝推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动IC中的首款产品---“TCK421G”。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压（基于输入电压），同时具备过压锁定功能。
国巨强化MLCC - 01005系列的范围及产能以因应元件小型化需求
国巨集团近期扩展MLCC Class I和Class II于01005产品尺寸的容值与产能，NPO、X7R、及X5R的最高容值分别可达100pF、1.2nF、及470nF。
如何充分发挥碳化硅耐高温的优势？
随着碳化硅(SiC)技术的发展，器件也在日趋成熟和商业化，其材料独特的耐高温性能正在加速推动结温从150℃走向175℃，有的公司称，现在已开始研发200℃结温的碳化硅器件。虽然碳化硅很耐高温，但是高温毕竟对器件的性能、故障率、寿命等都有很大的影响。
Nexperia推出全系列低电流稳压器二极管
50µA齐纳二极管系列提供3种不同的表贴(SMD)封装选项，采用超小型分立式扁平无引脚(DFN)封装以及符合AEC-Q101标准的器件，为客户提供了更多选择和灵活性。
