<p>文章来源：&nbsp;<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/zcKbLM3Z4Rgumej0ldSF8A">安世半导体</a></p&gt;

<p>全新单片微波集成电路（MMIC）和分立器件，可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求</p>

<p><em>作者：电子创新网张国斌</em></p>

<p><strong data-diagnose-id="980f0a683fb6922588e3a0bd6663c192" data-from-paste="1">一个本土科技航母群浮出水面！</strong></p>

<p>（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））<br />
（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。<br />
（3）如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，如果是SJ-MOS的情况，电场强度在N层中是均匀的。<br />
（4）所以，SJ-MOS可采用具有较低电阻的N层设计，以实现低导通电阻产品。<br />
采用与DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以实现更低的导通电阻。</p>

<p>文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/KNpnA5cn0TWHN6kucjkP7A&quot; id="js_name">罗姆半导体集团</a></p>

<p>本文先介绍使用通用电源IC实现电源时序控制电路中，电源导通时的时序工作。</p>

<p><em>新型 TMR 传感器丰富了 MDT 的旋转传感器和编码器产品组合，为客户提供了最适合需求的灵活选择</em></p>

<p><em>作者：&nbsp;卓晴，文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/X0L6BxhAfO_l4FJsD70Gdg">TsinghuaJoking</a></…;

<p><em>器件采用2525外形尺寸封装，高度仅为3 mm，符合AEC-Q200标准，工作温度达 +155 °C</em></p>

<p><em>用于交流和直流供电的评估套件及工具助力开发人员即刻评估支持高达1Mbp速率的高速通信应用</em></p>

<ul>
<li><em>艾迈斯欧司朗不仅提供领先的汽车激光雷达产品组合，还积极扩展面向工业应用的产品组合；</em></li>
<li><em>新型边发射脉冲激光器（EEL）SPL TL90AT03适合工业环境下的各种直接飞行时间（dToF）应用；</em></li>
<li><em>该元器件具有较窄的发射宽度以及出色的性能和效率。</em></li>
</ul>

<p>东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“<a href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectr…;”和“<a href="

<p><em>作者：李义君，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/-KpC21RyHUf0Ejcj-JwP_w">韬略科技EMC</a></em></p&…;

<p>针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”</p>

<p>（1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。<br />
（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。</p>

<p>近期，三星半导体全新推出了3款车用芯片方案：用于车载5G连接的 Exynos Auto T5123，ASIL-B安全等级用于智能座舱系统的Exynos Auto V7及其配套的电源管理芯片（PMIC）S2VPS01。</p>

<p>“为丰富包括娱乐、安全和舒适的车内体验，更智能、更互联的汽车技术正在成为发展道路上的关键特征。”三星电子系统LSI定制SOC业务执行副总裁Jaehong Park表示，“凭借先进的5G调制解调器、AI增强型多核处理器和经过市场验证的PMIC解决方案，三星正将移动领域的专业知识注入汽车产品阵容，并扩大在该领域的影响力。”</p>

<p>作为全球最受欢迎的无线物联网技术之一，蓝牙技术于2021年7月13日发布了其最新版本蓝牙5.3（Bluetooth® 5.3）。本文将介绍蓝牙5.3为物联网设备制造商和应用开发人员带来了哪些新功能。</p>

<p>贸泽电子 (<a href="https://www.mouser.com/">Mouser Electronics</a>) 即日起开售<a href="https://www.mouser.com/manufacturer/silicon-labs/">Silicon Labs</a>的<a href="

<p>在单片机中晶振是普遍存在的，那么晶振为什么这么必要，原因就在于单片机能否正常工作的必要条件之一就是时钟电路，所以单片机就很需要晶振，打个比方来说：晶振好比单片机的心脏，如果没有心脏起跳，单片机无法工作，晶振值越大，单片机运行速度越快，有时并不是速度越快越好，对于电子电路而言，速度够用就是最好，速度越快越容易受干扰，可靠性越差！下面小编带你了解整个晶振的原理以及晶振电路的构造。</p>

<p>本文转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/PRFHVEEkedR9f0e0JUXq1w">英飞凌工业半导体</a></p&gt;

<p>功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。</p>

<p>对电路进行分析的方法很多，如叠加定理、支路分析法、网孔分析法、结点分析法、戴维南和诺顿定理等。根据具体电路及相关条件灵活运用这些方法，对基本电路的分析有重要的意义。现就具体电路采用不同方法进行如下比较。</p>

<p><strong>01支路电流法</strong></p>

<p>支路电流法是以支路电流为待求量，利用基尔霍夫两定律列出电路的方程式，从而解出支路电流的一种方法。</p>

<p><strong>一支路电流分析步骤</strong></p>

<p>（1）MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻R_DS(ON)的因素如图3-7和方程式3-（1）所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。<br />
（2）例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压V_DSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素R_ch的比例较高。</p>