聚焦电子元器件选型、采购与应用技术

新电元工业株式会社推出了High-side/Low-side驱动IC“MCZ5606SC/MCZ5607SC”。

在本篇文章中，我将从不同方面深入介绍降压、升压和降压-升压拓扑结构。

新款三频段 FEM 不仅能最大限度地提高容量，而且还能简化设计，缩短产品上市时间，并将前端电路板空间减少 50%，适用于 Wi-Fi 6E 企业级架构。在多个网络同时运行的区域中，Wi-Fi 6E 可减少网络拥堵。

0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑制。

株式会社村田制作所现已开发出用于汽车动力传动系统和安全设备的多层陶瓷电容器“GCM31CC71C226ME36”，并开始批量生产。该产品在1206 inch（3.2×1.6mm）尺寸/16V的额定电压下可实现22µF的超大静电容量。

我们的Digi-Key工程师经常收到客户这样的问题：如何从没有额定电压标记的铝电解电容上确认它的额定电压?

埃赛力达科技近日宣布推出全新的µPAX-3脉冲氙光源。µPAX-3将创新的灯管设计与最先进的电路和元件结合在一个封装光源中，可提供微秒级持续脉冲的宽带光，并具有优异的光弧稳定性。

基于完全可扩展、高能效比的 CVflow® 架构，CV3 系列 SoC 可为汽车行业提供业内最高的AI处理性能—算力高达 500 eTOPS，比安霸上一代车规级 SoC CV2 系列提高了 42 倍。

本文中的光耦振荡电路则是利用了电流转移系数大于1所带来的电流增益而工作的。通过对PC851、TLP521的电流转移系数的测量，获得了它们电流增益随着工作电流不同变化情况，也验证了光耦震荡电流的工作原理。

Summit Wireless科技宣布：已经与乐鑫信息科技（Espressif Systems）合作开发了一款全新的2.4GHz无线音频模块，它能够提供与价格昂贵的5GHz模块解决方案相媲美的可靠性和质量。

前几篇文章我们讨论了关于，基本半导体和本征半导体的关系以及将本征半导体中掺入，不同的杂质，会出现不一样的物理现象。但仅仅这样好像对电路进步没有太大的作用。如果将这两个杂质半导进行结合呢？

近年来，人们对固态断路器和固态功率控制器的兴趣越来越浓厚。鉴于SiC JFET在高额定电压下具有低开态电阻而且它在需要时进行限流的能力毫不逊色，它们一直被视为此应用的理想器件。我们调查了常关型SiC FET在双栅极结构中的使用情况，以简化大电流直流断路器和交流断路器的开发

今天给大家分享一个串扰引发损耗变大的问题。这类问题经常出现在小型化的产品、连接器、线缆等产品中。

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低

机械断路器损耗低，但是速度慢而且会磨损。采用SiC FET的固态断路器可以解决这些问题且其损耗开始降低。

近日，电子创新网专访了一位在模拟射频领域连续创业的半导体老兵，他就是谷泰微创始人兼CEO石方敏，在本土IC的创新方面他有什么感悟，我们来听听他的分享。

DynamicVent通过系统DSP的传感器融合输入来开启或关闭，使开放式和封闭式的耳塞式耳机皆能发挥效应，单芯片设计将True MEMS扬声器和DynamicVent集成在单一硅芯片上

Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。

Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs）

随着人们环保意识的增强，选择环境影响最小的产品和服务已经成为了常态。如何减轻产品生产过程中对环境的负荷也逐渐引起了公众的关注。“智能”工厂内配备了多种传感器以用来收集制造设施和设备上的各种数据，从而实现利用前沿数字技术提高生产效率。

使用生命周期评估（LCA）评估制造场所对环境的影响

集成运算放大器是采用一定制造工艺将大量半导体三级管、电阻、电容等元件以及它们之间的连线制作在同一小块单晶硅的芯片上，并具有一定功能的电子电路。