<p><strong>1、为何产品要进行电气安规测试?</strong></p>
<p>这是许多产品制造商最想问的一个问题,当然最普遍的回答是“因为安规标准中有规定。”若您能深入了解电气安规的背景,便会发现它背后所隐含的责任与意义。电气安规测试虽然在生产线占了一点时间,但它却能让您降低产品因电气危害而回收的风险,第一次就做对,才是降低成本并维护商誉的正确方法。</p>
<p><strong>2、何谓电气伤害(Electrical Shock)? </strong></p>
<p><em>作者:IC Insights</em></p>
<p>IC Insights新版的《麦克林报告》将于2022年1月发布,来庆祝成立 25 周年。该报告对2022年至2026年半导体行业做了初步概览和年度预测。</p>
<p><a href="https://t.prnasia.com/t/AvIG8IkK" rel="nofollow" target="_blank">Analog Devices, Inc.</a> (Nasdaq: ADI)今日宣布推出突破性的RadioVerse®片上系统(SoC)系列,为射频单元(RU)开发人员提供灵活且经济高效的平台,以创建业内高能效5G RU。新推出的SoC系列提供先进的RF信号处理,扩展了数字功能和RF容量,可以大幅提高5G RU性能和能源效率。
<ul>
<li><em>Oslon Black Flat X亮度出众,在驱动电流1 A时一般能达到典型值460流明,是市面上亮度最高的汽车前大灯照明LED颗粒;</em></li>
<li><em>艾迈斯欧司朗持续推动亮度升级,为客户提供单芯片和双芯片型号;</em></li>
<li><em>到2022年年中,该产品系列将进一步扩展,包含多种多芯片型号,使车灯制造商能够实现经济高效的LED大灯设计。</em></li>
</ul>
<p>作者:赵佳,来源:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/KmEAq6nnE5rKW35GQJNA4A">英飞凌工业半导体 </a></…;
<p>在IGBT数据手册中,显眼的位置都会给出最大额定电压的定义,例如:</p>
<p><em>RAA227063可与各种MCU搭配,以更小尺寸实现高效、灵活的电机控制;全新成功产品组合展示了该产品与瑞萨新型RA6T2 MCU的卓越组合</em></p>
<p>瑞萨电子今日宣布,推出用于无刷直流(BLDC)电机应用的智能栅极驱动器IC——RAA227063。该产品可通过SPI接口进行编程,从而支持带有转子位置传感器的电机和无传感器应用。其提供的可编程栅极驱动电压可支持通常用于电机变频器设计的N沟道MOSFET,以及用于需要高功率密度的GaN FET。RAA227063具备出色的可扩展性,可支持包括众多瑞萨产品在内的多种MCU。</p>
<p><em>电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益,提高性能和成本效率,可使产品最多提前6个月上市</em></p>
<p>文章来源: <a href="https://mp.weixin.qq.com/s/x-lT6hinjeQUlh76NkzDqg">得捷电子DigiKey</a></p>
<p>问:电感(线圈)的Q值</p>
<p>Q值是指示电感质量的参数。“Q” 代表 “品质因子” 。线圈通直流电,但充当交流电的电阻,称为感抗。交流电的频率越高,感抗就越高。</p>
<p>TDK 集团(东京证券交易所代码:6762)隆重推出新型片式L860 NTC热敏电阻。它可直接嵌入到电源模块中,支持烧结和重质铝丝焊连接,并且特性和R100 =493 Ω条件下的常见MELF-R/T曲线相吻合。无铅化的新型元件订购编号为B57860L0522J500,工作温度范围为-55 °C至+175 °C,尺寸为1.6 x 1.6 x 0.5 mm。</p>
<p>不同于传统的贴片式 (SMD) NTC热敏电阻,新型元件无引线,支持水平安装。连接方面,其底部的Ni/Ag薄膜电极可烧结到电源模块的DCB(直接铜键合)基板上,而上方的Ni/Au薄膜电极则支持铝丝焊连接,无需焊锡工艺。</p>
<p><em>进一步扩大公司在深硅刻蚀技术领域的领先优势,新的半导体制造方案支持用于汽车与智能技术的芯片开发</em></p>
<p>泛林集团(纳斯达克股票代码:LRCX)在加利福尼亚州弗里蒙特市发布新产品Syndion® GP,为芯片制造商提供深硅刻蚀技术,以开发新一代用于汽车、电力传输和能源行业的功率器件及电源管理集成电路。</p>
<p>随着上述领域的技术日趋先进,对芯片更高功率、更优性能和更大容量的需求日益提高,这要求进一步提升更高深宽比结构的跨晶圆均匀性。这些完善通过采用先进的器件结构即可实现,无需牺牲外形因素。为此,器件制造商需要具备极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺。</p>
<p><em>全面的模块化平台让磁性评估变得更简单</em></p>
<p>Melexis 今日宣布,推出用于评估电流传感器芯片的两款最新开发套件。这两款开发套件可为工程师呈现产品设计中不同芯片功能的实际预览,同时优化研发设计与资源分配。</p>
<p>功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器,UPS,交流静态开关,SVC和电解氢等场合,但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解,为此我们组织了6篇连载,包括正向特性,动态特性,控制特性,保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。</p>
<p><strong>3.5 功率耗散(损耗)</strong></p>
<p>对晶闸管和二极管而言,耗散(或损耗)分为断态、通态、开通和关断损耗这几类。晶闸管还有控制损耗。在规定冷却条件下,这些损耗的总和决定了器件的载流能力。</p>
<p><strong><em>性能优于降压型变换器:最新的InnoSwitch3 IC产品系列可简化高输出电流设计、提高设计灵活性并提供行业领先的效率</em></strong></p>
<p>Harwin 最近扩大了印刷电路板插座产品组合,为广受市场欢迎的 Sycamore Contact 系列推出了更多尺寸。工程师可将这些额定电流为 6A 的表面贴装PCB 插座用于不同的设计,各个插座可自由放置在电路板上,而不受连接器外壳的限制。</p>
<p><em>为电动汽车提供性能及性价比双优的碳化硅解决方案</em></p>
<p>设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业 Soitec 宣布,与全球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作,携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅(poly-SiC)系列衬底。</p>
<p><em>作者:Steven Martin,电池充电器设计经理,ADI公司</em></p>
<p><strong>引言</strong><br />
处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管,但是由于二极管正向电压的原因,这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁,但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的,因为电池在充电时必须吸收电流,而在不充电时则须供应电流。<br />
另一种方法是使用图1所示的MOSFET电路之一。</p>
<p>当信号从输入侧传输至输出侧时,光耦是一种即使在电气隔离状态下也能在电路之间传输信号的器件。在光耦内部,通过使用发光器件将电输入信号一次转换为光信号,然后使用光电检测器件将光信号转换为电信号之后再将其输出。在FA、OA以及家用电子设备中,不同的直流和交流电源系统均安装在同一块电路板中,信号在这些系统之间传输。如果直接连接这些系统,操作时可能会出现安全问题。通过使用光耦,即使在这种情况下,也可在电气隔离状态下传输信号。</p>
<p>在人来人往的医院和办公室、堆放着大量货物和物料的仓库和工厂里,各种各样的设施都在努力通过追踪并管理人员与物品的位置来提高工作效率或确保员工安全。TDK提出了一个划时代的解决方案,即通过有效利用无处不在的“地磁*<sup>1</sup>”,在大范围内对人员、物品、动力车进行高精度的室内实时定位,从而为业务改善做贡献。</p>
<p><strong>有助于减少“寻找”等低效工作的定位技术</strong></p>
<p>TDK就基于位置信息的业务改善解决方案的需求对其客户进行了调查,其结果显示工作时间的30%左右都用在了“寻找”人员和物品上。可以说在大型工厂里寻找物料位置、或因为找不到工作机而耽误工作等情况非常常见。</p>
<p>现代工业对电力电子设备提出了很多要求:体积小、重量轻、功率大、发热少。面对这些要求,Si MOSFET因Si材料自身的限制而一筹莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天优势开始大显神通。SiC MOSFET大规模商用唯一的缺点就是价格。但随着良率的提升和采用更大尺寸的晶圆,SiC与Si之间的成本差距正在收窄,在整车系统总体成本反而有明显的优势。SiC MOSFET替代Si MOSEFET成为越来越多的厂家的新选择。</p>
<p>SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET的区别之一是驱动电压不同,传统Si MOSFET驱动只要单电源正电压即可,而SiC MOSFET需要单电源正负压驱动。SiC MOSFET要替代Si MOSFET,就要解决负压电路如何实现的问题。</p>
<p>低压差线性稳压芯片(LDO)在各种消费类及工业类电子产品上都有着极为广泛的应用。特别是随着近年来锂电池技术的不断成熟完善,多种小家电逐步从有绳供电开始往无绳供电发展。为了满足此类应用宽工作电压和续航时间的需求,常采用多节锂电池串联作为供电电源(常见4-8串),因此对于LDO的耐压也提出了更高的要求。微源半导体所推出的新一代高耐压低静态电流线性稳压器芯片—LP3994,耐压值可达40V,静态电流1.5uA,满足最高8节锂电池串联供电应用,如手持吸尘器,电动工具,扫地机器人,筋膜枪等。</p>
<p><strong>1. LP3994 典型应用</strong></p>




