<p>本文抓住自：<a href="http://www.mems.me/mems/microfluidics_202111/11082.html">&nbsp;麦姆斯咨询&nb…;

<p>碳纳米材料，如石墨烯、碳纳米点（CNDs）、碳纳米管、晶体和金刚石等，都展现出非凡的电化学特性，因此被广泛应用于各个领域。</p>

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<li>新型双芯片霍尔效应传感器HAR 3927**具有符合SAE J2716 rev. 4版本的比率模拟输出和数字SENT协议</li>
<li>以小型SOIC8 SMD封装为汽车和工业高安全要求的应用*提供卓越的角度测量和冗余功能</li>
</ul>

<p>TDK集团 推出Micronas直接角度霍尔效应传感器系列新成员HAR 3927**。该产品采用专有的3D HAL®像素单元技术，符合ISO 26262的兼容开发要求。这一全新传感器具有符合SAE J2716 rev. 4版的比率模拟输出以及数字SENT接口。</p>

<p><em>具备 24 路输出的 MLX81118 可更加灵活地通过 LIN 实现动态和个性化的车内氛围灯照明，为 ASIL-A 应用带来更高的可靠性且符合 ISO 26262 标准</em></p>

<p>我们常常想当然地为印刷电路板上的电路上电，殊不知这可能造成破坏以及有损或无损闩锁状况。随着片上系统(SoC) IC越来越多，对电源进行时序控制和管理的需求也越来越多……</p>

<p>虽然ADI的数据手册通常会提供足够的信息，指导您针对各IC设计正确的上电序列。然而，某些IC明确要求定义恰当的上电序列。在使用多个电源的IC中，如转换器（包括ADC和DAC）、DSP、音频/视频、射频及许多其它混合信号IC中，这一要求相当常见。</p>

<p>Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 推出节省空间、高热效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封装，能在 175°C、100 瓦等级的 <a href="https://www.diodes.com/part/DMTH10H1M7STLWQ">DMTH10H1M7STLWQ</a>及 <a href="

<p>东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出一款高压晶体管输出车载光耦---“<a href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/isolators-…;”，用于包括电动汽车在内的汽车设备的信号隔离通信。该产品于今日开始支持批量出货。</p>

<p>利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。本篇将分析限幅电路和钳位电路，是如何用二极管来实现的。</p>

<p><strong>限幅电路</strong></p>

<p>如下图所示，当在正半周期，并且VIN大于等于0.7V，二极管正向导通。此时，VOUT会被钳位在0.7V上。</p>

<p>而当VIN小于0.7V时二极管是截止状态，在负半周期时相当于电流反向，二极管也是截至状态，此时VOUT=VIN，VOUT波形跟随VIN变化。</p>

<p><em>作者：Atmosic 首席执行官 David Su</em></p>

<p>长期以来，物联网所形成的巨大市场和数以十亿计的庞大设备数量已经逐渐为人们所熟知。同时，可移动的物联网设备正在变得越来越多，有线电源也并非长久之计。随着物联网市场的持续蓬勃增长，设备的供能方式、电池问题正在成为新的挑战。</p>

<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;贸泽电子 (<a href="https://www.mouser.com/">Mouser Electronics</a>) 即日起开始备货<a href="https://www.mouser.com/manufacturer/laird-connectivity/">Laird Connectivity</a>的&l

<p><em>器件采用2525外形尺寸封装，高度仅为3 mm，工作温度达 +155 °C</em></p>

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<p><strong>关键要点</strong></p>
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<p><em>新型光学谐振器可用于蛋白质、DNA折纸或病毒的表征（来源：KIT）</em></p>

<p><em>作者：&nbsp;麦姆斯咨询殷飞 来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/AYowSF1mNkhja3OGGUHnXQ">MEMS</a></em></p&gt;

<p>Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布其超高功率密度 (UHPD) 充电器解决方案于亚洲金选奖 (EE Awards Asia) 首获金选节能系统功率半导体供货商项目公司奖。其中的三芯片充电器解决方案最初是为了提高笔记本电脑适配器以及智能手机充电器等产品应用的性能而开发的。</p>

<p>亚洲金选奖表彰亚洲电子业中的产品、公司与个人的成就。今年度各奖项得主是由 AspenCore Media 出版品 (包括亚洲《EE Times》及《EDN》) 的在线读者，连同业界分析师及媒体集团编辑所组成的委员会所评选出。</p>

<p>金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最受关注的晶体管。</p>

<p>MOSFET有两种类型：N沟道（参见下图3-4（a）N沟道）和P沟道（参见下图3-4（b）P沟道）。</p>

<p>N沟道广泛用于AC／DC电源、DC／DC转换器、逆变器设备等，而P沟道则用于负载开关、高边开关等。</p>

<p>双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。</p>

<p>半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。</p>

<p><em>左图：iPMSEL阵列由16个发光单元组成。右图：由VCSEL、DOE和iPMSEL阵列组成的光束模式光源概念图。</em></p>

<p>近日，滨松光子（Hamamatsu Photonics）宣布其开发出一种高密度集成技术，用以创建iPMSEL（可集成相位调制表面发射激光器）阵列元件。该公司表示，作为全球最小级别的半导体激光器，它能够发射2D模式的激光束。滨松在一份声明中表示：“通过利用这项技术，我们成功地开发了一款iPMSEL阵列，该阵列由16个发光单元组成，在面积为2平方毫米的微型芯片上形成四排四列的布局。”</p>

<p><em>作者：黄刚，文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/rkKEj8AFdr4Sxg59X-6s9Q">高速先生</a></em></p&gt;

<p>大家估计知道一对高速信号孔旁边需要加地过孔，但是要加多少个呢？相信广大粉丝们心里是没底的，别急！高速先生今天帮大家量化出来哈。</p>

<p>相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的C_OSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。</p>

<p><strong>JFET的操作</strong></p>

<p>JFET：结型场效应晶体管</p>

<p>（1）在N沟道结型场效应晶体管（图3-3（a））中，当在漏极和源极之间施加电压时，电子从源极流向漏极。</p>

<p>（2）当在栅极和源极之间施加反向偏压时，耗尽层扩大并抑制（1）中的电子流动。（使电子流动的路径变窄）</p>

<p>（3）如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加，耗尽层就会阻塞通道，电子流动停止。</p>

<p>如上所示，施加在栅极和源极之间的电压控制着漏极和源极之间的状态。所以场效应晶体管是电压驱动的器件。</p>

<p><em>本文转载自：<a href="https://www.mouser.cn/blog/cn-rfid-nfc-intro-with-solutions2">贸泽电子</a><…;

<p>我们生活在一个日益无线化的世界，无现金支付或访问控制已经成为常态化。细心的读者可能早已注意到，一些商店的收银台也开始出现“无人化”趋势，比如优衣库、迪卡侬这些大家时常光顾的商店，均已采用自助式结账。</p>