<p><em>工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件</em></p>

<p><a href="https://www.nexperia.cn/">Nexperia</a&gt;，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。</p>

<p><strong>电路噪声</strong></p>

<p>对于电子线路中所标称的噪声，可以概括地认为，它是对目的信号以外的所有信号的一个总称。</p>

<p>最初人们把造成收音机这类音响设备所发出噪声的那些电子信号，称为噪声。但是，一些非目的的电子信号对电子线路造成的后果并非都和声音有关，因而，后来人们逐步扩大了噪声概念。</p>

<p><em>可定制器件采用小型两件式结构，工作温度达+105 °C，适用于各种恶劣商用环境</em></p>

<p><em>作者：电子创新网张国斌</em></p>

<section>1875年，大清朝18岁的同治帝去世，年仅四岁的载湉登上帝位，年号光绪。也是在这一年，日本明治时代初期著名发明家，擅长制作机关人偶有“东洋的爱迪生”之称的田中久重也在日本东京也创立了一家工业制造所---田中制造所，1904年在此基础上成立芝浦制作所株式会社。</section>

<p>&nbsp;</p>

<p>UnitedSiC的UJ4C/SC 750V SiC FET系列现在已经拥有13种器件，同时其优异性能的覆盖范围更广了。该系列的首款产品是业内优异的新6mΩ RDS(on)&nbsp;SiC FET，还包含9、11、18、23、33、44和60mΩ规格产品（图1）。6mΩ产品具有一个新特征，它的短路耐受时间可靠，额定值为5µs（图2）。现在，借助该级别的性能和其他规格的产品，设计师们可以很好地权衡成本和效率，同时让其功率设计保留充分的设计裕度和电路稳健性。</p>

<p><strong>▍Test Coupon：俗称阻抗条</strong></p>

<p><em>工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件</em></p>

<p>Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。</p>

<p>本文转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/GIl78mkVPVYTIhYd5k3Mjw">&nbsp;Murata村田中国</a>…;

<p><em>加固型双电层储能电容器被评为年度高性能无源分立器件</em></p>

<p>日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，公司的235 EDLC-HVR ENYCAP™系列电容器荣获2021年度AspenCore全球电子成就奖，被评为年度高性能无源/分立器件。该器件是业内先进的加固型ENYCAP双电层储能电容器，在+85 °C条件下使用寿命达2,000小时，经过85 / 85 1500小时带电测试，具有最高等级耐潮湿能力。</p>

<p>文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/xGFtVyE3VWHuNkxMfXY8Xg">&nbsp;得捷电子DigiKey</a…;

<p><strong>什么是电阻电压系数？本文就来回答这个问题。</strong></p>

<img alt="二极管" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="68f4d070-8ab5-4db3-8cff-be6d6d7d0c8b" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1.png" /><img alt="二极管特性应用" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="f7b4c382-003e-436e-85fe-032c7c16

<p><em>新产品支持-40至105ºC温度范围；面向边缘计算和自动驾驶等应用</em></p>

<p>瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，推出支持工业温度等级DDR5（5RCD0148H）和DDR4（4RCD0232K）寄存时钟驱动器（RCD），面向要求严苛的边缘计算、汽车、工业4.0和5G等应用。</p>

<p>xMEMS Labs（美商知微电子）今日推出全球超小型单芯片MEMS扬声器——Cowell。Cowell尺寸仅22mm3、重量仅仅56毫克，采用直径3.4mm的侧发音（side-firing）封装，在1kHz可达到难得的110dB SPL（声压级）。对比电动式及平衡电枢式扬声器，Cowell在1kHz以上提供高达15dB的额外声压增益，能够改善语音信噪比的性能，并提高了人声与乐器的清晰度。Cowell是首先采用xMEMS第二代M2扬声器单元架构的扬声器，在SPL/mm2上所带来的改善使其能在较小的外形中增加响度。Cowell的工程样品现可供货，并计划在2022年第二季初量产。</p>

<section powered-by="xiumi.us">
<section>
<section powered-by="xiumi.us">
<section>
<section powered-by="xiumi.us">
<p><strong>关键要点</strong></p>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>

<p><em>采用TI的全新DC/DC转换器，工程师可将低功耗工业应用中的电池寿命延长多达20%</em></p>

<p>对于SBD而言，半导体由n型层组成，因此金属充当二极管的阳极。同样地，只有电子是载流子，SBD变成了类似MOSFET的单极元件。</p>

<p>作者：陈子颖，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/zHgrkfgNMDXgug5FtvH87w">英飞凌工业半导体</a></p&gt;

<p>正确理解IGBT和模块的标准体系，对了解产品特性，指导系统设计用足产品特性，符合规范很有帮助，熟悉标准的工程师会在系统设计中更游刃有余。</p>

<p><em>15 A至 75 A器件提高电动汽车/混合动力汽车车载充电器AC/DC和DC/DC转换器效率</em></p>

<p>日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出10款符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用的新型FRED Pt® 600 V第五代 Hyperfast和Ultrafast整流器。Vishay Semiconductors 15 A、30 A、60 A和75 A整流器在同类器件中具有出色反向恢复性能，提高AC/DC和DC/DC转换器以及软硬开关或谐振电路的效率。</p>

<p>SBD的反向恢复时间（t_rr）由LC谐振电路根据结电容和外部接线的电感确定。（由于结电容几乎不受温度的影响，所以从室温到高温t_rr相同。）</p>

<p><em>作者：陈子颖，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/V1aqiMCGhgUcSsCEEbrptA">英飞凌工业半导体</a></em></p…;

<p>IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。</p>