Diodes发布 SDT2U30CP3  (30V/2A)、SDT2U40CP3  (40V/2A) 和 SDT2U60CP3  (60V/2A) 肖特基整流器

数据中心是数字世界的支柱，其中大量的服务器为互联网、云计算和其他数据驱动型服务赋能。

村田开发了一种在达到了世界超高水平精度的6轴MEMS惯性传感器，噪声低而且输出稳定。

在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中，一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局

RA2A2产品带来多种电源结构和电压检测硬件，可实现高能效、超低功耗运行。

INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装，导通电阻 4.3mΩ，在与 40V InnoGaN（INN040FQ043A）封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上，将耐压等级提升到60V

Vishay Sfernice P16F和PA16F电位器介电强度高达5000 VAC，+40 °C下额定功率为1 W，可用来简化工业和音频应用设计并优化成本。

CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。

本系列文章将重点讨论直流链路环路电感和栅极环路电感对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响

当我们按照这样的愿景，仔细描绘未来汽车及交通运输业的蓝图时，不难发现，“连接”将成为其中越来越重要的一环

连接标准联盟产品安全工作组很高兴地宣告发布其物联网设备安全规范1.0，以及附带的认证计划和产品安全验证标志。

Dimensity Auto 座舱平台支持在车内运行大语言模型，可赋能车载语音助手、多屏显示、驾驶警觉性监测等先进的 AI 安全和娱乐应用

面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸

本文介绍常见的电平转换方法。

OV50K40图像传感器大幅度提高单次曝光可实现的高动态范围

本文将重点介绍电动汽车牵引逆变器中使用的电容器。

本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案

在这篇文章中，我们将详述四个主要的中压应用领域，这些领域正在逐渐采用 GaN 技术。

3D-IC 传热模型有助于开发新的封装工艺。本文将讨论 3D-IC 及其传热模型。

这种模块结构紧凑、高度集成，具有高功率密度以及先进的控制与监测功能，非常适合热泵应用。