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对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而，由于高开关速度会导致高漏源电压（VDS）峰值和长振铃期，它们会产生电磁干扰，尤其是在电流大时。

微控制器发展至今，随着市场需求的不断变化，每年都会带来新的设计和支持方面的创新，但回归本身还是离不开上述的五个基本要素。

什么是运算放大器输入失调电压？本文让你秒懂！

在传统晶圆封装中，是将成品晶圆切割成单个芯片，然后再进行黏合封装。不同于传统封装工艺，晶圆级封装是在芯片还在晶圆上的时候就对芯片进行封装

本文将重点介绍影响这一指针的结构和技术特点，以及如何更好地理解这一电阻性能参数。

在维修电路板时，有时候需要测量板子上某一点的电位，来判断到底是哪里出了问题，而参考点的选取一般都是选择电源的负极，也就是GND地线。相关文章推荐:电路中的GND，它的本质是什么？如下图是几种GND的符号。