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2020年750V第四代SiC FET诞生时，它与650V第三代器件的比较结果令人吃惊，以6毫欧器件为例，品质因数RDS•A降了近一半，由于体二极管反向恢复能量，动态损耗也降了近一半。

本SiC FET用户指南介绍了使用含快速开关SiC器件的RC缓冲电路的实用解决方案和指南。该解决方案经过实验性双脉冲测试（DPT）结果验证。缓冲电路损耗得到精确测量，可协助用户计算缓冲电路电阻的额定功率。

对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而，由于高开关速度会导致高漏源电压（VDS）峰值和长振铃期，它们会产生电磁干扰，尤其是在电流大时。

物理法则无法击败。电阻必然消耗电能，并产生热量和压降。电容器要消耗时间存储电荷，再花时间释放电荷。电感器要花时间制造电磁场并让其坍塌。

随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。

近年来，人们对固态断路器和固态功率控制器的兴趣越来越浓厚。鉴于SiC JFET在高额定电压下具有低开态电阻而且它在需要时进行限流的能力毫不逊色，它们一直被视为此应用的理想器件。我们调查了常关型SiC FET在双栅极结构中的使用情况，以简化大电流直流断路器和交流断路器的开发