技术

本文将详细介绍 PCB 过孔的设计规则，以及如何使用这些规则来保证电路板的性能和可制造性。

本文将详细讨论脉冲密度调制 (PDM) 和集成电路内置音频 (I²S) 两种数字接口，简介它们的独特特性以及在系统设计时的优缺点

本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。

本文将介绍如何简化、加快碳化硅设计流程并降低风险，以及如何在工业电机驱动系统中更轻松地实现 IE4 和 IE5 节能目标。

本文将为您介绍UWB技术的发展，以及由 Murata (村田制作所) 所推出的相关解决方案。

本文为48V起动发电机系统方案指南第一部分，将介绍系统用途、市场趋势、系统描述。

不久前，我发表了一个设计实例“仅需一个电位器，就能将运算放大器增益从-30dB调整到+60dB”。

生活中我们常见的电源转换以DC-DC、AC-DC居多，随着绿色能源的发展，将DC转换为AC的应用逐渐多了起来。

在I2C通信中，SDA（数据线）和SCL（时钟线）在空闲状态下都应处于高电平。为了实现这一点，需要在总线的SDA和SCL线上添加上拉电阻

10BASE-T1S是实现工业4.0、汽车 IVN和智能建筑中边缘设备全以太网化的缺失环节，可与促进人工智能和机器学习的100/1000BASE-T1以太网主干网对接。

整个电池生命周期受限于当前电力转换技术的局限性，但固定比率转换器技术或可改变这一现状

本文将介绍电抗的两种类型、计算方法以及电抗与阻抗之间的关系。

在半导体领域，电源管理是一个很“卷”的市场，这是不争的事实。一方面，众多半导体厂商都在追求更高的效率、更紧凑的封装、更高的能量密度之路上狂奔

本文将从磁铁的成本、温度特性、尺寸和充磁方式四个方面进行详细讲述。

本文将聚焦于SiC材料的卓越属性，探讨安森美（onsemi）系列先进的封装技术为加速SiC导入新能源领域应用提供的参考范例。

本文将介绍半导体的可靠性测试及标准。除了详细介绍如何评估和制定相关标准以外，还将介绍针对半导体封装预期寿命

存储系统的性能各异，受多种因素影响。在这篇博客文章中，我们将探讨影响存储系统在AI领域的表现的几大因素

本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。

本文将系统介绍探讨10BASE-T1S如何在工业和汽车中运作，本文为第一部分，将介绍工业4.0概述、汽车区域控制与全以太网化、相关标准等。

细心的朋友可能会发现，上一篇写的计算方法针对的是单次的浪涌，比如Surge test一般两次浪涌之间会有30~60 s的间隔时间