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RFID和NFC之间的那些事儿，你真的了解吗？

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我们生活在一个日益无线化的世界，无现金支付或访问控制已经成为常态化。细心的读者可能早已注意到，一些商店的收银台也开始出现“无人化”趋势，比如优衣库、迪卡侬这些大家时常光顾的商店，均已采用自助式结账。

【科普小贴士】什么是结型场效应晶体管（JFET）

JFET的操作

JFET：结型场效应晶体管

（1）在N沟道结型场效应晶体管（图3-3（a））中，当在漏极和源极之间施加电压时，电子从源极流向漏极。

（2）当在栅极和源极之间施加反向偏压时，耗尽层扩大并抑制（1）中的电子流动。（使电子流动的路径变窄）

（3）如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加，耗尽层就会阻塞通道，电子流动停止。

如上所示，施加在栅极和源极之间的电压控制着漏极和源极之间的状态。所以场效应晶体管是电压驱动的器件。

轻负载时开关元件工作相关的注意事项

相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。

保护器件过电应力失效机理和失效现象浅析

半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。

【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最受关注的晶体管。

MOSFET有两种类型：N沟道（参见下图3-4（a）N沟道）和P沟道（参见下图3-4（b）P沟道）。

N沟道广泛用于AC／DC电源、DC／DC转换器、逆变器设备等，而P沟道则用于负载开关、高边开关等。

双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。

电源时序规格及控制框图

万万没想到，二极管竟然还可以这样用？

利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。本篇将分析限幅电路和钳位电路，是如何用二极管来实现的。

限幅电路

如下图所示，当在正半周期，并且VIN大于等于0.7V，二极管正向导通。此时，VOUT会被钳位在0.7V上。

而当VIN小于0.7V时二极管是截止状态，在负半周期时相当于电流反向，二极管也是截至状态，此时VOUT=VIN，VOUT波形跟随VIN变化。

电源时序控制的正确方法，你掌握了吗？

我们常常想当然地为印刷电路板上的电路上电，殊不知这可能造成破坏以及有损或无损闩锁状况。随着片上系统(SoC) IC越来越多，对电源进行时序控制和管理的需求也越来越多……

虽然ADI的数据手册通常会提供足够的信息，指导您针对各IC设计正确的上电序列。然而，某些IC明确要求定义恰当的上电序列。在使用多个电源的IC中，如转换器（包括ADC和DAC）、DSP、音频/视频、射频及许多其它混合信号IC中，这一要求相当常见。

理解尖峰电流与PCB布局时的去耦电容

尖峰电流的形成：

数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下图的TTL与非门为例说明尖峰电流的形成：

【科普小贴士】BJT和MOSFET的差异

关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。

（1）基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。为了使集电极电流流动，需要提供基极电流，并且需要连续的驱动功率。（需要低驱动电压、连续驱动功率）

（2）由于MOSFET根据栅极-源极电压形成一个沟道，这个电压必须是一定的或更高的电压。一旦沟道形成，导通状态继续，漏极电流继续流动，因此所需的驱动功率很小。通过释放积聚在栅极中的电荷并移除沟道，它将转变为关闭状态。（驱动电压高于BJT，驱动功率小）

【干货分享】6种延时电路原理讲解

众所周知，说到延时，很多人都会想到用软件件来实现，比如定时器之类的。今天就来说说用硬件来实现定时的方式，虽说没有那么准，但是有些场合还是用得到的。今天我们来介绍一下6种延时电路工作原理。

1、精确长延时电路图

【科普小贴士】MOSFET的结构和工作原理

我们将参照图3-6（a）来解释MOSFET的工作原理。 
（1）在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS） 
（2）在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS） 
（3）其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区（p型层中的n型区称为“反转层（沟道）”）。 
（4）当这个反转层完成时，MOSFET漏极到源极将形成n层路径。 
（n＋⇔n－⇔ 反转层（n）⇔ n＋） 
（5）因此MOSFET在低电阻下工作，漏极电流由外加VDS和负载流决定。

用实验来证明，不同条件下的热阻数值千差万别

本文将会给出实际的热阻数据示例。

实际的热阻数据示例

通常在IC的技术规格书中都会提供IC热阻相关的信息。但是，所提供的热阻类型和设置可能会因IC的种类（例如用于信号处理的低功耗运算放大器、用于供电的热设计很重要的稳压器等）不同而略有不同。另外，也会因IC制造商而异。

大功率二极管晶闸管知识连载——保护

功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。

7.保护

晶闸管和二极管必须得到可靠的保护，避免电流和电压过高以及控制电路中的脉冲干扰。

7.1 过压保护

总体而言，装置中产生过压的原因如下：

新半导体技术将提升功率转换效率

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摘要

【科普小贴士】MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素

（1）MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻RDS(ON)的因素如图3-7和方程式3-（1）所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。 
（2）例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。

教你几种电路分析的高效方法

对电路进行分析的方法很多，如叠加定理、支路分析法、网孔分析法、结点分析法、戴维南和诺顿定理等。根据具体电路及相关条件灵活运用这些方法，对基本电路的分析有重要的意义。现就具体电路采用不同方法进行如下比较。

01支路电流法

支路电流法是以支路电流为待求量，利用基尔霍夫两定律列出电路的方程式，从而解出支路电流的一种方法。

一支路电流分析步骤

大功率二极管晶闸管知识连载——控制特性

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秒懂晶振以及晶振电路

在单片机中晶振是普遍存在的，那么晶振为什么这么必要，原因就在于单片机能否正常工作的必要条件之一就是时钟电路，所以单片机就很需要晶振，打个比方来说：晶振好比单片机的心脏，如果没有心脏起跳，单片机无法工作，晶振值越大，单片机运行速度越快，有时并不是速度越快越好，对于电子电路而言，速度够用就是最好，速度越快越容易受干扰，可靠性越差！下面小编带你了解整个晶振的原理以及晶振电路的构造。

【科普小贴士】MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案

针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”

（1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。 
（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。