三菱电机

SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在质量保证方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技术实现稳定的品质，而SiC则需要更严格的品质控制和可靠性测试

通过在芯片终端区域采用新型电场弛豫结构和表面电荷控制技术将芯片的终端面积减小约30%，同时抗湿性提升了20倍

采用SiC器件的工业电源，可以实现高效率和高功率密度。三菱电机开发了一系列适合工业电源应用的SiC MOSFET模块，本章节带你详细了解。

通过采用RC-IGBT，三菱电机实现了更小的模块尺寸，当安装在逆变器基板上时，封装尺寸相比传统产品减少至53%，从而有助于实现更紧凑的设计。

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的高功率密度和低损耗设计。

本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的可靠性设计。

本章节主要介绍三菱电机车规级SiC MOSFET产品，包括模块及芯片。

本章节主要带你探究三菱电机的SiC MOSFET模块在电动汽车主驱中的应用。

在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章节主要介绍全SiC和混合SiC的SLIMDIP产品。

本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题。