技术

通常情况下，ESD设备本身并不能提供足够的保护，因此会导致芯片组过早出现故障。本文列举了一些指导原则，为设计人员加强板载ESD保护提供参考。

IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。

直接数据频率合成器（DDS）因能产生频率捷变且残留相位噪声性能卓越而著称。另外，多数用户都很清楚DDS输出频谱中存在的杂散噪声

本文提出了一种基于 GaN 场效应晶体管 (FET) 的 10kW 串式逆变器。我们还将探讨 GaN 的优势，并重点介绍为住宅太阳能应用构建此类系统的优势。

本文将通过案例展示虚拟制造在DRAM鞍形鳍开发中的应用，并评估DRAM器件在不同轮廓下的电学性能。该方法可为工艺与整合团队制定DRAM器件的工艺配方和规格提供指导。

在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章节主要介绍全SiC和混合SiC的SLIMDIP产品。

全球道路安全监管机构正加速推广自动紧急制动系统以提升道路安全。在美国，国家公路交通安全管理局已出台强制性法规

本文着重介绍了不同的三相四线变换器拓扑形式特点以及相应的调制方法

在开始新的隔离式DC-DC设计时，系统工程师必须解决所有这些难题。系统工程师需要一种体积小、成本低、高度可靠且易于设计的解决方案。

共模浪涌以前没有特别关注过，最近看到几个类似的应用，因此结合DeepSeek强大的功能与网上搜集到的经验分享，稍作整理归纳，供被共模浪涌困扰的小伙伴简单参考。