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您有过这样的经历吗？设计电路时由于匆忙行事，而忽视了一些基本问题，结果使电路功能与预期不符。

随着系统变得更加紧凑、高效和模块化，设计人员面临着管理不同电压域间通信的新挑战。一个主要示例是<100VDC 架构的兴起，包括电动汽车 (EV)、机器人和储能系统中的 48V 系统

三相四桥臂变换器具有最强的抑制三相电压不平衡能力和灵活的单相供电能力。通常使用三次谐波注入的载波调制方法来提高直流电压利用率以及方便的解耦三相控制

区域控制架构是一种范式转变，它依据位置而非功能来组织车辆电子设备。不再为每个子系统配备专属的 ECU，而是在车辆的各个区域安装区域控制器。

通常情况下，ESD设备本身并不能提供足够的保护，因此会导致芯片组过早出现故障。本文列举了一些指导原则，为设计人员加强板载ESD保护提供参考。

IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。

直接数据频率合成器（DDS）因能产生频率捷变且残留相位噪声性能卓越而著称。另外，多数用户都很清楚DDS输出频谱中存在的杂散噪声

本文提出了一种基于 GaN 场效应晶体管 (FET) 的 10kW 串式逆变器。我们还将探讨 GaN 的优势，并重点介绍为住宅太阳能应用构建此类系统的优势。

本文将通过案例展示虚拟制造在DRAM鞍形鳍开发中的应用，并评估DRAM器件在不同轮廓下的电学性能。该方法可为工艺与整合团队制定DRAM器件的工艺配方和规格提供指导。

在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章节主要介绍全SiC和混合SiC的SLIMDIP产品。