技术

Nexperia的采用夹片式FlatPower(CFP)封装的肖特基整流器产品组合提供了最高效的解决方案，满足功率处理和散热要求，同时节省了空间，并且降低封装高度。

本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题。

从前两篇的内容中我们可以看出，CAN总线会面临各种各样的浪涌冲击，瞬态电压变化，错误的电源搭接等问题

人形机器人正成为全球科技与制造业的下一个爆发点。据摩根士丹利研报预测，到 2050 年，全球人形机器人市场收入有望达到 5 万亿美元

欢迎来到《电源设计小贴士集锦》系列文章，本期，我们将介绍光耦合器的详细知识。

在电子电路中，为了有效地传输信号，匹配传输路径的阻抗非常重要，这时候就需要用到适合高频范围阻抗匹配的电感器（RF电感器）

在此基础上，平面磁集成技术开始广泛应用于高功率密度场景，通过将变压器的绕组(winding)设计在pcb电路板上从而代替利兹线，从而极大降低了变压器的高度。

在许多应用中，需要进行升压和降压转换。例如，有时输入电压范围为6 V至24 V，而需要输出的电压为12 V。传统的宽范围电源必须能够进行此类电压转换。

在挑选MOSFET时，大多数工程师首先关注的一个参数便是RDS(on)值。然而，面对消费电子、计算、移动设备乃至工业子系统的大批量需求，设计工程师对产品的要求日益多样化

本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项。