1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型<
三菱电机集团近日宣布，将与Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体
650 V、20 A碳化硅整流器模块适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。
采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装，并集成BJT和电阻，加倍节省空间
在本博客中， Nexperia（安世半导体）讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道，以便设计人员选择更合适的封装。
NPS4053是一款高密度集成电路(IC)，凭借小巧的尺寸提供优异的系统保护性能，可帮助提高系统可靠性，保障系统安全。
实现长达10倍电池寿命，扩展在物联网设备中的应用范围
Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性
本文介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装