如何选择符合应用散热要求的半导体封装 judy / 周四, 7 九月 2023 - 15:05 在本博客中, Nexperia(安世半导体)讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道,以便设计人员选择更合适的封装。 阅读更多 关于 如何选择符合应用散热要求的半导体封装登录 发表评论
Nexperia扩展产品组合, 率先推出集成式5 V负载开关 judy / 周五, 18 八月 2023 - 15:31 NPS4053是一款高密度集成电路(IC),凭借小巧的尺寸提供优异的系统保护性能,可帮助提高系统可靠性,保障系统安全。 阅读更多 关于 Nexperia扩展产品组合, 率先推出集成式5 V负载开关登录 发表评论
Nexperia推出纽扣电池寿命和功率增强器 judy / 周四, 13 七月 2023 - 10:07 实现长达10倍电池寿命,扩展在物联网设备中的应用范围 阅读更多 关于 Nexperia推出纽扣电池寿命和功率增强器登录 发表评论
Nexperia推出新款600 V单管IGBT,可在电源应用中实现出色效率 judy / 周三, 5 七月 2023 - 09:18 Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构,在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性 阅读更多 关于 Nexperia推出新款600 V单管IGBT,可在电源应用中实现出色效率登录 发表评论
为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样 judy / 周五, 16 六月 2023 - 10:41 本文介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。 阅读更多 关于 为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样登录 发表评论
Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET judy / 周三, 10 五月 2023 - 10:05 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间),提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装 阅读更多 关于 Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET登录 发表评论
Nexperia推出先进的I2C GPIO扩展器产品组合 judy / 周五, 28 四月 2023 - 11:48 NCA9595采用可通过寄存器配置的内部上拉电阻,可根据实际需要自定义以优化功耗。当需要扩展I/O数量时,利用该产品组合可实现简洁的设计,同时尽可能减少互连 阅读更多 关于 Nexperia推出先进的I2C GPIO扩展器产品组合登录 发表评论
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管 judy / 周四, 20 四月 2023 - 10:06 10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战 阅读更多 关于 Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管登录 发表评论
Nexperia推出能源采集PMIC,以加速开发环境友好型能源自主式低功耗器件 judy / 周五, 7 四月 2023 - 10:27 NEH2000BY 可帮助简化能源采集解决方案的设计过程,其体积比其他竞争产品小20倍,且无需针对单个应用进行额外优化 阅读更多 关于 Nexperia推出能源采集PMIC,以加速开发环境友好型能源自主式低功耗器件登录 发表评论
Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET judy / 周三, 22 三月 2023 - 16:02 RDS(on)额外降低40%,功率密度提高58倍,适合电信和热插拔计算应用 阅读更多 关于 Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET登录 发表评论