Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关
judy -- 周三, 09/27/2023 - 09:23采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装,并集成BJT和电阻,加倍节省空间
采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装,并集成BJT和电阻,加倍节省空间
在本博客中, Nexperia(安世半导体)讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道,以便设计人员选择更合适的封装。
NPS4053是一款高密度集成电路(IC),凭借小巧的尺寸提供优异的系统保护性能,可帮助提高系统可靠性,保障系统安全。
实现长达10倍电池寿命,扩展在物联网设备中的应用范围
Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构,在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性
本文介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间),提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装
NCA9595采用可通过寄存器配置的内部上拉电阻,可根据实际需要自定义以优化功耗。当需要扩展I/O数量时,利用该产品组合可实现简洁的设计,同时尽可能减少互连
10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战
NEH2000BY 可帮助简化能源采集解决方案的设计过程,其体积比其他竞争产品小20倍,且无需针对单个应用进行额外优化