Nexperia

提供超低R_DS(on)和超高的电流与热管理能力

节省75%的PCB面积，并具有侧边可湿焊盘，支持光学检测

此系列器件可提供高达4 A（峰值）的拉电流和5 A的灌电流，即使在重负载下也能确保上升和下降时间较短

控制器可提高电源效率并降低待机功耗

本文旨在回顾这种网络技术的演变，并解释消费以太网和工业以太网的区别。

新型50 µA齐纳系列二极管推出B-selection (Vz +/-2%)，Vz范围从1.8 V到51 V，提供标准版和汽车版。

NID5100是基于PMOS的理想二极管，支持通过内部MOSFET的栅极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压，与额定值类似的肖特基二极管相比，其正向压降低8到10倍

新器件的额定电压为50  V和80 V，支持NPN和PNP极性的1 A至3 A电流范围

在半导体领域，电源管理是一个很“卷”的市场，这是不争的事实。一方面，众多半导体厂商都在追求更高的效率、更紧凑的封装、更高的能量密度之路上狂奔

新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用