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Microchip推出3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

2022-03-22 | 碳化硅, SiC

近日，安富利发布了一项针对全球工程师的调查，以调查工程师如何应对全球芯片短缺、更长的交货时间以及工程师的设计选款和应用，发生哪些改变。

2022-03-21 | 芯片短缺

该系列模块特别适用于恶劣的电气环境如EV充电器，具有OVC III过压等级，可在海拔2000m运行，工作温度范围为-40至+90°C。

2022-03-21 | Recom, AC/DC电源

新型µPOL直流-直流转换器系列可在-40 ℃~125 ℃的宽结温范围内运行，并具有每立方英寸1000 A以上的高电流密度。

关于IGBT／MOSFET预驱动器，相信做电机驱动或者大功率设备驱动的工程师都会有所了解，所谓预驱动器，其实就是将微控制器与IGBT／MOSFET隔离开来，为负载及驱动器提供保护

为了精准聚焦工业测量领域，公司推出高可靠性、低功耗Sigma-Delta ADC CS1238DME芯片，通过可编程增益放大器（PGA），有效分辨率可达20.7位（PGA=128），增益误差8ppm。

2022-03-18 | ADC, CS1238DME

没有比这更真实的词了——这也是我们从一开始就坚持的，推动 Matter 标准前进的方式。汇集大量最聪明、最优秀的人才，以一种我们行业前所未见的方式和动力来构建一些东西。

2022-03-18 | Matter 1.0

对于边缘网络应用，老化、预热时间和功耗等附加参数对整体性能非常重要。SiTime新推出的Elite X的性能优于传统时钟器件，简化了系统设计，能够提供更可靠、一致的性能。

Teledyne e2v的DDR4s存储容量为4G字节，尺寸仅为15mm x 20mm x 1.92mm，其存储密度远高于竞争对手的解决方案——仅占PCB基板面的一半，体积几乎减少了一个数量级。

2022-03-18 | Teledyne e2v, DDR4

多功能产品组合覆盖 24-40GHz 频段，展示了集成模块、分立波束成形及升降频转换器射频集成电路（RFIC）等技术

PUC-D2BG系列具有6kVDC隔离电压，以及适用于250VAC工作电压并通过IEC/EN/UL 62368-1安全认证的增强绝缘

AP6320xQ 与 AP6330xQ 装置的额定电流分别为 2A 和 3A，支持从 3.8V 到 32V 宽大的输入电压范围。适用于汽车负载点 (PoL) 产品应用

新陷波滤波器符合IEC61000-4-2的4级抗扰度标准。这些滤波器非常适用于确保智能手机、无线耳机（TWS）和智能扬声器等关键应用的音频电路满足EMC要求。

这项研究采用搭载了单片集成128 × 128像素MEMS FPSA（引线键合128 × 96子阵列，并经过了实验测试）的硅光子调频连续波（FMCW）成像激光雷达，最终分辨率达到16384像素。

器件能量吸收能力比相同尺寸采用其他元件技术的器件高10倍，适用于预充和泄放电应用