快讯

HN1D05FE作为一种耐压小型开关二极管，适用于需要高压特性的应用。例如在商用交流电源电路中，HN1D05FE能够承受高电压的冲击，有效地保护电路中的其他元件不受损坏。

雅特力科技全新推出AT32F422/426系列超值型微控制器。该系列兼具高算力、高性价比和应用广泛表现，以更高主频、更大存储与更丰富的片上资源

器件节省空间，占位面积仅为4 mm x 4 mm，密封等级为IP67，工作温度达+140 ℃

该器件采用用户可编程的复位延迟、看门狗定时器、自动唤醒功能和使能功能，同时具备过热保护和过流保护功能，能够承受最大幅度在 45V 以内的瞬态电压。

近日，首传微电子宣布，其自主研发的车载高速SerDes芯片在吉利汽车集团旗下的领克06（2026款 Relive）车型上实现量产上车。

一款节省空间的解决方案，为电动汽车充电、UPS和太阳能逆变器系统提供强大的过压防御。

TPT29606可以传输开漏（Open-Drain）信号和推挽（Push-Pull）信号，兼容I2C和SPI等应用场景，支持最低0.72V供电电压，最高26Mbps的传输速率

根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年下半年DDR4市场处于持续供不应求与价格强势上涨态势，由于Server的刚性订单挤压了PC和Consumer市场的供应

Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。

这种直插型电感器采用变线绕阻，铁粉合金磁芯技术，可实现低直流电阻（DCR），从而减少功耗，并提高效率

该系列时钟产品凭借高性能、低功耗及易用性等核心优势，将为人工智能、高速通信、工业控制等关键领域提供精准、可靠的时钟信号支撑。 

该产品采用大像素设计，具有更高的灵敏度，感光谱段覆盖软X射线、紫外、可见光和近红外，凭借原生16bit 输出和三面可拼接的结构设计，是天文观测领域的理想之选。

NEO Semiconductor重磅推出全球首款用于AI芯片的超高带宽内存（X-HBM）架构，基于其自研的3D X-DRAM技术，突破传统HBM技术在带宽与容量上的瓶颈

采用思特威全新Lightbox IR®-2近红外增强技术，对关键特性近红外感度进行了深度优化，能够在户外低照度远距离场景中，为安防摄像头提供清晰明亮的画面信息

xPU-CPO实现了在相同面积下40%的通信密度增加，从而能更好地支持算力芯片的系统算力需求

SGM260320 为 SSD 系统供电提供完整的电源解决方案，助力产品实现小型化设计。

江苏多维科技推出的全极型TMR13Nx系列磁开关传感器芯片，基于隧道磁阻（TMR）技术，为智能笔提供全极型开关磁触发解决方案。

B3264xH系列电容器具有高绝缘电阻、低损耗因数及稳健的自愈性等诸多特点，在+85 °C及满额定电压条件下的设计使用寿命可达200,000小时

这款传感器内置7,500个图像传感元素数量，支持A3多功能打印机

Diodes推出符合汽车标准*的 80V 理想二极管控制器 AP74502Q 和 AP74502HQ，提供强大且可靠的反向连接保护和电压瞬变保护