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功率MOSFET基本结构：平面结构

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）

2023-06-05 | MOSFET

如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。

从快充和低温性能来看，在充电15分钟的情况下就能达到80%的容量，在零下20℃的低温环境下，仍能保持90%以上的放电保持率

SEMI 预计到 2025 年的时候，全球 300 mm 半导体晶圆厂的产能将再创新高。

2022-10-12 | 晶圆, SEMI

由三位伯克利校友创办的 Jitx，就致力于为电路板设计的数字化方法带来重大变革。其提出了一种设计电路板的新思路 —— 使用代码来描述电路板的外观。

DigiTimes 援引 IC 业内人士消息和检测实验室的一份新报告称 —— 首批支持下一代 Wi-Fi 7 无线网络标准的智能手机，最早有望于 2024 年下半年陆续问世。

美国加州理工学院研发一种新型光子芯片可能代表该领域的一个重大突破，尤其是使光子量子信息处理器成为可能方面，它可以产生和测量光量子态

跟锂离子电池相比，在能量密度方面，钠离子电池并不太占优势，目前三元锂电池的电芯单体能量密度能达到200—350 Wh /kg,但钠离子电池在低温性能、快充、安全性方面理论上更为优异。

该耦合器是决定超导量子计算机性能的一个关键装置。超导量子计算机中的可调谐耦合器负责连接两个量子比特，并通过打开和关闭它们之间的耦合来进行量子计算

今天，原苹果供应链厂商欧菲光，发布了与华为采用同一原理的可变光圈摄像模组，通过在Lens前端增加可变光圈马达的方式，实现了单镜头从F1.4到F4.0四级光圈可调。

根据基辛格所说，目前的芯片最多大概有1000亿晶体管，未来SOP技术发展之后，到2030年芯片的密度将提升到1万亿晶体管，是目前的10倍。

2022-08-29 | Intel, FinFET

研究人员已经开发并展示了新的绿光吸收透明有机光电探测器，它具有高灵敏度并跟CMOS制造方法兼容。

OG0TB 具有极其紧凑的外形尺寸、优异的图像质量、超低的功耗、以及眼球与面部追踪等特性，很适合 AR / VR / MR 和消费级元宇宙市场等应用场景。

JEDEC 固态技术协会刚刚宣布了最新的 UFS 4.0 通用闪存存储标准。作为补充，该组织还更新了 JESD223E UFSHCI 4.0 标准，以及面向 UFS 3.1 和更高版本的“基于文件的优化”

2022-08-18 | JEDEC, UFS 4.0, 闪存

加州理工学院（Caltech）的工程师们已经开发出一种开关，这是计算的最基本组件之一，它使用光学而不是电子组件。这一发展可能有助于实现超快的全光信号处理和计算。