闪存

铠侠推出第八代BiCS FLASHTM QLC闪存,为业界带来领先的2Tb最大容量

三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产

第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”,可将数据输入/输出速度提高33%,最高可达每秒3.2千兆位(Gbps)

漫谈QLC其一:QLC定义及应用

本文将以QLC为关键词,漫谈QLC的定义、优势及应用。

JEDEC宣布UFS 4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新

JEDEC 固态技术协会刚刚宣布了最新的 UFS 4.0 通用闪存存储标准。作为补充,该组织还更新了 JESD223E UFSHCI 4.0 标准,以及面向 UFS 3.1 和更高版本的“基于文件的优化”

三星首次推出全新UFS 4.0闪存 读速达到4200MB/s或UFS 3.1的两倍

新的UFS 4.0规范承诺将移动闪存媒体存储的性能提高一个档次,将读取速度提高到4200MB/s,或基本上是目前可用的UFS 3.1标准的两倍。