<p>降压转换器的历史长达一个世纪之久,如果没有它们,实在无法想象现代电子电路会变成怎样。本文阐述笨重的机电降压转换组件如何进化为能够处理数百瓦输出功率的微型PCB安装组件。</p>
<p>作者:陈虎,来源:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/cN6UvpvZxTXsw3V-BuM3jg">凡亿PCB</a></p>
<p>作者:卓晴,来源:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/xWy7fzVBwyShiHnDQx2bOw">TsinghuaJoking</a></…;
<p><em>在电路解决方案中增加业内先进的热电耦合在线分析功能,可对复杂的热问题进行快速仿真。</em></p>
<p>本视频介绍正确使用高频多极连接器时的注意事项。 请参照相关内容,防止发生问题。</p>
<p><iframe allowfullscreen="" frameborder="0" height="400" src="//players.brightcove.net/4741948346001/Dque1VpS_default/index.html?videoId=6283520156001" width="600"></iframe></p>
<p>作者: 卓晴,来源:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/zdDuZtUNgY3fFHbhFpNgwg">TsinghuaJoking</a></…;
<p>简 介: 如果你是一个急性子的电子狂热者,那么快速PCB制作是一个可以让你把硬件开发变得和软件开发一样容易的技术。掌握它,可以事半功倍,抚平你那躁动的狂野心灵。</p>
<p>文章来源:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/IH6h1d0MPrfA9URmW_2Syg"> 亚德诺半导体</a></p&…;
<p>开关电源通常使用电感来临时储能。在评估这些电源时,测量电感电流通常有助于了解完整的电压转换电路。但测量电感电流的最佳方法是什么?</p>
<p><em>作者: 麦姆斯咨询殷飞 来源:<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/7QG9hykolNgZF7MXQ-MHJA">MEMS</a></em></p>
<p>基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。</p>
<ul>
<li>耐受电压:选择目标耐受电压的最佳结构。</li>
<li>低导通电阻:U-MOS适用于250V及以下产品,SJ-MOS(或DTMOS)适用于大于250V的产品。</li>
<li>高电流:与低导通电阻的趋势相同。</li>
<li>高速:U-MOS由于栅极容量(Ciss)大,不利于高速开关。</li>
</ul>
<p><em>microBUCK®同步降压稳压器获功率IC产品奖</em></p>
<p>日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,公司SiC45x系列microBUCK®同步降压稳压器荣获AspenCore 2021年度首届亚洲金选奖(EE Awards Asia)功率IC产品奖。这款稳压器采用PowerPAK® 5 mm x 7 mm小型封装,以其高达40 A的额定输出电流,其优于前代稳压器的功率密度和瞬变响应能力受到表彰。</p>
<p>三安集成发布EZ-Tuning四工器,提高射频前端模组量产精度</p>
<p>随着载波聚合技术[LTE-A]应用的发布,催化了超小型化多工器的发展,而在通信网络从4G/4G+迈向5GNR的阶段,射频前端中的滤波器也将承担该组网功能。其中,应用最为广泛的Band1 + Band3四工器则是国产品牌急需最先突破的产品。</p>
<p>低压差线性稳压芯片(LDO)在各种消费类及工业类电子产品上都有着极为广泛的应用。特别是随着近年来锂电池技术的不断成熟完善,多种小家电逐步从有绳供电开始往无绳供电发展。为了满足此类应用宽工作电压和续航时间的需求,常采用多节锂电池串联作为供电电源(常见4-8串),因此对于LDO的耐压也提出了更高的要求。微源半导体所推出的新一代高耐压低静态电流线性稳压器芯片—LP3994,耐压值可达40V,静态电流1.5uA,满足最高8节锂电池串联供电应用,如手持吸尘器,电动工具,扫地机器人,筋膜枪等。</p>
<p><strong>1. LP3994 典型应用</strong></p>
<p>现代工业对电力电子设备提出了很多要求:体积小、重量轻、功率大、发热少。面对这些要求,Si MOSFET因Si材料自身的限制而一筹莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天优势开始大显神通。SiC MOSFET大规模商用唯一的缺点就是价格。但随着良率的提升和采用更大尺寸的晶圆,SiC与Si之间的成本差距正在收窄,在整车系统总体成本反而有明显的优势。SiC MOSFET替代Si MOSEFET成为越来越多的厂家的新选择。</p>
<p>SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET的区别之一是驱动电压不同,传统Si MOSFET驱动只要单电源正电压即可,而SiC MOSFET需要单电源正负压驱动。SiC MOSFET要替代Si MOSFET,就要解决负压电路如何实现的问题。</p>
<p>在人来人往的医院和办公室、堆放着大量货物和物料的仓库和工厂里,各种各样的设施都在努力通过追踪并管理人员与物品的位置来提高工作效率或确保员工安全。TDK提出了一个划时代的解决方案,即通过有效利用无处不在的“地磁*<sup>1</sup>”,在大范围内对人员、物品、动力车进行高精度的室内实时定位,从而为业务改善做贡献。</p>
<p><strong>有助于减少“寻找”等低效工作的定位技术</strong></p>
<p>TDK就基于位置信息的业务改善解决方案的需求对其客户进行了调查,其结果显示工作时间的30%左右都用在了“寻找”人员和物品上。可以说在大型工厂里寻找物料位置、或因为找不到工作机而耽误工作等情况非常常见。</p>
<p>当信号从输入侧传输至输出侧时,光耦是一种即使在电气隔离状态下也能在电路之间传输信号的器件。在光耦内部,通过使用发光器件将电输入信号一次转换为光信号,然后使用光电检测器件将光信号转换为电信号之后再将其输出。在FA、OA以及家用电子设备中,不同的直流和交流电源系统均安装在同一块电路板中,信号在这些系统之间传输。如果直接连接这些系统,操作时可能会出现安全问题。通过使用光耦,即使在这种情况下,也可在电气隔离状态下传输信号。</p>
<p><em>作者:Steven Martin,电池充电器设计经理,ADI公司</em></p>
<p><strong>引言</strong><br />
处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管,但是由于二极管正向电压的原因,这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁,但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的,因为电池在充电时必须吸收电流,而在不充电时则须供应电流。<br />
另一种方法是使用图1所示的MOSFET电路之一。</p>
<p><em>为电动汽车提供性能及性价比双优的碳化硅解决方案</em></p>
<p>设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业 Soitec 宣布,与全球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作,携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅(poly-SiC)系列衬底。</p>
<p>Harwin 最近扩大了印刷电路板插座产品组合,为广受市场欢迎的 Sycamore Contact 系列推出了更多尺寸。工程师可将这些额定电流为 6A 的表面贴装PCB 插座用于不同的设计,各个插座可自由放置在电路板上,而不受连接器外壳的限制。</p>
<p><strong><em>性能优于降压型变换器:最新的InnoSwitch3 IC产品系列可简化高输出电流设计、提高设计灵活性并提供行业领先的效率</em></strong></p>
<p>功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器,UPS,交流静态开关,SVC和电解氢等场合,但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解,为此我们组织了6篇连载,包括正向特性,动态特性,控制特性,保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。</p>
<p><strong>3.5 功率耗散(损耗)</strong></p>
<p>对晶闸管和二极管而言,耗散(或损耗)分为断态、通态、开通和关断损耗这几类。晶闸管还有控制损耗。在规定冷却条件下,这些损耗的总和决定了器件的载流能力。</p>





