<p>本文转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/PRFHVEEkedR9f0e0JUXq1w">英飞凌工业半导体</a></p&gt;

<p>功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。</p>

<p>在单片机中晶振是普遍存在的，那么晶振为什么这么必要，原因就在于单片机能否正常工作的必要条件之一就是时钟电路，所以单片机就很需要晶振，打个比方来说：晶振好比单片机的心脏，如果没有心脏起跳，单片机无法工作，晶振值越大，单片机运行速度越快，有时并不是速度越快越好，对于电子电路而言，速度够用就是最好，速度越快越容易受干扰，可靠性越差！下面小编带你了解整个晶振的原理以及晶振电路的构造。</p>

<p>贸泽电子 (<a href="https://www.mouser.com/">Mouser Electronics</a>) 即日起开售<a href="https://www.mouser.com/manufacturer/silicon-labs/">Silicon Labs</a>的<a href="

<p>作为全球最受欢迎的无线物联网技术之一，蓝牙技术于2021年7月13日发布了其最新版本蓝牙5.3（Bluetooth® 5.3）。本文将介绍蓝牙5.3为物联网设备制造商和应用开发人员带来了哪些新功能。</p>

<p>近期，三星半导体全新推出了3款车用芯片方案：用于车载5G连接的 Exynos Auto T5123，ASIL-B安全等级用于智能座舱系统的Exynos Auto V7及其配套的电源管理芯片（PMIC）S2VPS01。</p>

<p>“为丰富包括娱乐、安全和舒适的车内体验，更智能、更互联的汽车技术正在成为发展道路上的关键特征。”三星电子系统LSI定制SOC业务执行副总裁Jaehong Park表示，“凭借先进的5G调制解调器、AI增强型多核处理器和经过市场验证的PMIC解决方案，三星正将移动领域的专业知识注入汽车产品阵容，并扩大在该领域的影响力。”</p>

<p>针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”</p>

<p>（1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。<br />
（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。</p>

<p><em>作者：李义君，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/-KpC21RyHUf0Ejcj-JwP_w">韬略科技EMC</a></em></p&…;

<p>东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“<a href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectr…;”和“<a href="

<ul>
<li><em>艾迈斯欧司朗不仅提供领先的汽车激光雷达产品组合，还积极扩展面向工业应用的产品组合；</em></li>
<li><em>新型边发射脉冲激光器（EEL）SPL TL90AT03适合工业环境下的各种直接飞行时间（dToF）应用；</em></li>
<li><em>该元器件具有较窄的发射宽度以及出色的性能和效率。</em></li>
</ul>

<p><em>用于交流和直流供电的评估套件及工具助力开发人员即刻评估支持高达1Mbp速率的高速通信应用</em></p>

<p><em>器件采用2525外形尺寸封装，高度仅为3 mm，符合AEC-Q200标准，工作温度达 +155 °C</em></p>

<p><em>作者：&nbsp;卓晴，文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/X0L6BxhAfO_l4FJsD70Gdg">TsinghuaJoking</a></…;

<p><em>新型 TMR 传感器丰富了 MDT 的旋转传感器和编码器产品组合，为客户提供了最适合需求的灵活选择</em></p>

<p>文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/KNpnA5cn0TWHN6kucjkP7A&quot; id="js_name">罗姆半导体集团</a></p>

<p>本文先介绍使用通用电源IC实现电源时序控制电路中，电源导通时的时序工作。</p>

<p>（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））<br />
（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。<br />
（3）如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，如果是SJ-MOS的情况，电场强度在N层中是均匀的。<br />
（4）所以，SJ-MOS可采用具有较低电阻的N层设计，以实现低导通电阻产品。<br />
采用与DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以实现更低的导通电阻。</p>

<p><em>作者：电子创新网张国斌</em></p>

<p><strong data-diagnose-id="980f0a683fb6922588e3a0bd6663c192" data-from-paste="1">一个本土科技航母群浮出水面！</strong></p>

<p>全新单片微波集成电路（MMIC）和分立器件，可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求</p>

<p>文章来源：&nbsp;<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/zcKbLM3Z4Rgumej0ldSF8A">安世半导体</a></p&gt;

<p>株式会社村田制作所已开始量产面向5G智能手机的2012尺寸（2.0×1.2mm）功率电感器“DFE21CCN_EL系列”。与村田相同尺寸的传统产品相比，该产品额定电流提高约20%，直流电阻降低约50%，有助于电路的稳定化和小型化。</p>

<p>近年来，随着智能手机的功能变得越来越强，安装在设备中的电源电路的数量也在增加。特别是一些支持5G的智能手机在调节电源电压的电源模块中使用的功率电感器数量比传统的4G智能手机增加了30%左右。</p>

<p>而且，由于5G智能手机的电池尺寸增加，导致部件需要进一步小型化。</p>

<p>因此，村田制作所通过磁路优化技术和先进成型技术开发了有助于智能手机的高性能化和小型化的该新产品。</p>

<p>今日，集邦咨询公布了2021年第三季度全球十大晶圆代工厂营收排行，报告显示，第三季度晶圆代工产值高达 272.8 亿美元，季增11.8%，连续九个季度创下历史新高。具体来看，台积电依然坐稳晶圆代工厂的龙头席位，在苹果iPhone新机发布带动下，台积电第三季度营收达148.8亿美元，季增11.9%，稳居全球第一。</p>