<p><a href="http://www.nexperia.com/&quot; target="_blank">Nexperia</a>（安世半导体）今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基准电压。

<p><strong>通过引进薄膜型传感器减轻护理人员的负担</strong></p>

<p>以少子老龄化为背景，现在福利、护理现场的人手不足现象越来越严重。根据厚生劳动省的计算，生产年龄（15～64岁）人口的减少将在2025年后进一步加速。护理相关职业的有效求职倍率一直高于全行业标准。也就是说，现在护理现场已经陷入了人手不足的状况。</p>

<p>作为这个课题的解决对策，IoT的引进被寄予厚望。某家有7所护理福利设施的社会福利法人正在采取各种措施，例如积极引进IoT设备，以此致力于减轻职员的业务负担等。在此让我们以传感器技术为中心，一起看一看护理现场的IoT引进事例。</p>

<p>上海合见工业软件集团有限公司（简称合见工软）近日推出一款融合电子系统研制流程、技术与管理实践的差异化一站式电子设计数据管理平台及应用解决方案UniVista EDMPro（简称：EDMPro）。</p>

<p>众所周知，说到延时，很多人都会想到用软件件来实现，比如定时器之类的。今天就来说说用硬件来实现定时的方式，虽说没有那么准，但是有些场合还是用得到的。今天我们来介绍一下6种延时电路工作原理。</p>

<p><strong>1、 精确长延时电路图</strong></p>

<p>我们将参照图3-6（a）来解释MOSFET的工作原理。<br />
（1）在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS）<br />
（2）在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS）<br />
（3）其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区（p型层中的n型区称为“反转层（沟道）”）。<br />
（4）当这个反转层完成时，MOSFET漏极到源极将形成n层路径。<br />
（n＋⇔n－⇔ 反转层（n）⇔ n＋）<br />
（5）因此MOSFET在低电阻下工作，漏极电流由外加VDS和负载流决定。</p>

<p>在众多的传感器中，湿度和温度传感器（温湿度传感器）是最常见，也是应用范围最广的一种，它多以温湿度一体式的探头作为测温元件，将温度和湿度信号采集出来，经过稳压滤波、运算放大等信号调理，转换为电流或电压信号，输出到主控芯片进行处理。在极端湿度和温度环境下，是否能够提供稳定的性能表现，是用户在湿度和温度传感器选型时的一个重要考量因素。</p>

<p>TE Connectivity（TE）的 HTU31温湿度传感器在这方面的表现就非常突出，基于TE精密工程设计技术和在湿度和温度组合传感器方面20多年的经验，能够提供高响应速度、高测量精度、低迟滞和持续性能，即使暴露在极端温度 (-40°C至125°C) 和湿度 (0%至100%)环境中，也能从容应对。</p>

<p>本文将会给出实际的热阻数据示例。</p>

<p><strong>实际的热阻数据示例</strong></p>

<p>通常在IC的技术规格书中都会提供IC热阻相关的信息。但是，所提供的热阻类型和设置可能会因IC的种类（例如用于信号处理的低功耗运算放大器、用于供电的热设计很重要的稳压器等）不同而略有不同。另外，也会因IC制造商而异。</p>

<p>上海合见工业软件集团有限公司（简称合见工软）近日推出一款高效解决2.5D、3D、SIP等各种先进封装系统级一体化协同设计环境产品UniVista Integrator（简称：UVI）。</p>

<p>Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 针对要求严格的噪声敏感型电源相关汽车产品应用项目，推出高度优化的 <a href="https://www.diodes.com/part/AP7347DQ">AP7347DQ</a&gt; 低压差 (LDO) 稳压器。这款符合汽车规格的高输出精度 LDO 获得了 AEC-Q100 一级认证，在 IATF 16949 认证的工厂中生产，且完全支持汽车生产零件批准流程 (PPAP)。

<p>为了进一步完善4毫米间距Datamate Mix-Tek 连接器不同部件可以单独采购的计划，Harwin现在可为客户提供一种全新的母端子选项。与所有 Mix-Tek 同轴电缆触点一样，M80-310 专为数据传输而设计，支持高达 6GHz 的频率。这种全新的触点可以匹配 1.19 毫米/0.047 英寸直径的半刚性同轴电缆，其90°的取向表面针对线对板连接上方的有限可用空间而进行了优化。</p>

<ul>
<li><em>1/8砖封装10.4V/700W和12V/800W新产品</em></li>
<li><em>高达950W和1100W的额定峰值功率</em></li>
<li><em>40～60V输入</em></li>
<li><em>1500VDC 隔离电压</em></li>
<li><em>非常高的效率</em></li>
</ul>

<p>今日，环旭电子（上海证券交易所股票代码：601231）的全资子公司环鸿电子股份有限公司与氮化镓系统有限公司（GaN Systems Inc.，简称“氮化镓公司”）签订了一份股份认购协议，并成为氮化镓公司新一轮融资的战略投资者。</p>

<p>氮化镓公司是一家领先的功率半导体公司，从事第三代半导体氮化镓（GaN）材料相关产品的设计、开发和生产，该材料以其晶体管性能和可靠性而著称。该公司募集到的融资将用于加速氮化镓技术在汽车、消费者、工业和企业市场的开发和应用。随着电源解决方案从传统硅器件转向更小、低成本和高效的功率系统，氮化镓的市场份额加快成长。氮化镓公司的先进技术地位也得到了行业领先客户的认可。</p>

<p>功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。</p>

<p><strong>7.保护</strong></p>

<p>晶闸管和二极管必须得到可靠的保护，避免电流和电压过高以及控制电路中的脉冲干扰。</p>

<p><strong>7.1 过压保护</strong></p>

<p>总体而言，装置中产生过压的原因如下：</p>

<p>银牛微电子（Inuitive）重磅推出“3D机器视觉模组C158”，立足3D视觉 + SLAM + AI算法，为机器人产业提供全球先进的3D机器视觉产品</p>

<p>伏达半导体（以下简称“伏达”）今日宣布推出第三代无线充电解决方案 -- NU170x系列，该方案针对5W~30W的中低功率的充电产品市场，目前包含NU1705与NU1708两颗芯片，将大大提高无线充电产品的市场竞争力。</p>

<p>伏达推出的第三代全集成发射端芯片NU170x系列，具有高集成度、高效率与高安全性等特性。该方案将传统一、二代产品的MCU和功率全桥(Powerstage)两颗芯片合二为一，将高度集成推向了顶峰。</p>

<p><strong>伏达NU170x方案优势与关键特性</strong></p>

<p><a href="https://t.prnasia.com/t/s52yTvCo&quot; rel="nofollow" target="_blank">Granite&nbsp;River Labs&nbsp;(GRL)</a>宣布，其<a href="https://t.prnasia.com/t/8GGmpqvs&quot; rel="nofollow" target="_blank&q

<p><em>以业界超小系统尺寸，使可穿戴设备兼具无线供电和非接触通信两种功能</em></p>

<p>ROHM集团旗下的蓝碧石科技株式会社（以下简称“蓝碧石科技”）面向可穿戴设备，开发出可高达1W的无线供电芯片组“ML7661”（发射端）和“ML7660”（接收端）。</p>

<p>近年来，对提高小型电子设备（尤其是小型医疗设备）防触电安全性的需求高涨。而无线供电不需要电源连接器，其密封外壳可以提高防水防尘性能，因此可大大提高充电和出汗时的防触电安全性。虽然目前在无线供电领域有已经非常普及的Qi标准*1，供电量大，最高可达15W，但其包括天线尺寸和芯片组在内的系统尺寸也很大，因此很难安装在可穿戴设备中。</p>

<p><em>本文转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/Fn-b88EM6wZ-AbrZ-FWW5A">&nbsp;UnitedSiC微信公众号…;

<p><strong>摘要</strong></p>

<p>（1）MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻R_DS(ON)的因素如图3-7和方程式3-（1）所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。<br />
（2）例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压V_DSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素R_ch的比例较高。</p>

<p>对电路进行分析的方法很多，如叠加定理、支路分析法、网孔分析法、结点分析法、戴维南和诺顿定理等。根据具体电路及相关条件灵活运用这些方法，对基本电路的分析有重要的意义。现就具体电路采用不同方法进行如下比较。</p>

<p><strong>01支路电流法</strong></p>

<p>支路电流法是以支路电流为待求量，利用基尔霍夫两定律列出电路的方程式，从而解出支路电流的一种方法。</p>

<p><strong>一支路电流分析步骤</strong></p>