<p>本文详细叙述了实际使用时对IPM模块的各种结温的计算和测试方法，从直接红外测试法，内埋热敏测试，壳温的测试方法，都进行详细说明，以指导技术人员通过测量模块自带的Tntc的温度估算或测试IPM变频模块的结温，然后利用开发样机测试结果对实际产品进行结温估算标定，评估IPM模块运行的可靠性。</p>

<p>MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。</p>

<h3>关于导通电阻的电气特性</h3>

<p>晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （V_CE(sat)） 乘以集电极电流（I_C）表示。</p>

<p>（集电极损耗P_C））＝（集电极饱和电压V_CE(sat)&nbsp;）x（集电极电流I_C）</p>

<p>说到PCB板，很多朋友会想到它在我们周围随处可见，从一切的家用电器，电脑内的各种配件，到各种数码产品，只要是电子产品几乎都会用到PCB板，那么到底什么是PCB板呢?PCB板就是PrintedCircuitBlock,即印制电路板，供电子组件安插,有线路的基版。通过使用印刷方式将镀铜的基版印上防蚀线路,并加以蚀刻冲洗出线路</p>

<p><em>作者：蒋修国，来源于信号完整性&nbsp;</em></p>

<p><strong>一、射频连接器的分类</strong></p>

<p>射频连接器（射频同轴连接器）是一种电连接器，其一般与同轴线缆一起配合使用。射频连接器的屏蔽效能一般都比较好。所以射频连接器在射频产品和数字电路中越来越多的被应用。但是射频同轴连接器的类型非常多，很多时候很容易混淆。射频同轴连接器的型号由主名称代号和结构代号两部分组成，中间用短划线“-”隔开。具体产品不同结构的命名由详细规范规定。下图就是一张非常详细的图片，标识出来了绝大数的连接器名称和对应的频率。</p>

<p>Murata LFH高通滤波器是一款基于陶瓷多层技术的轻质片式滤波器。该滤波器采用超小型封装，高度为0.3mm。它具有5370MHz标称中心频率和14dB最小衰减（绝对值）（2400MHz至2500MHz）。其他特性包括1.6最大VSWR、3W功率容量以及-40°C至+85°C工作温度范围。Murata LFH高通滤波器非常适合用于WLAN应用。</p>

<h2>特性</h2>

<p>ROHM开发出小型高效的肖特基势垒二极管（以下简称SBD^※1）“RBR系列”共12款产品，“RBQ系列”共12款产品，这些产品非常适用于车载设备、工业设备和消费电子设备等各种电路的整流和保护。至此，这两个系列的产品阵容中已达178款产品。</p>

<p><strong>关于MOSFET的寄生容量和温度特性</strong></p>

<p><strong>MOSFET的静电容量</strong></p>

<p>功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。<br />
功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。C_gs, C_gd容量根据氧化膜的静电容量、C_ds根据内置二极管的接合容量决定。</p>

<p>电容降压的工作原理并不复杂。阻容降压的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。同时在电容器上串联一个阻性元件，则阻性元件两端所得到的电压和它所产生的功耗完全取决于这个阻性元件的特性。</p>

<p>因此，电容降压实际上是利用容抗限流，而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配电容器和负载两端电压的角色。</p>

<p>例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流过电容的最大电流约为70mA。虽然流过电容的电流有70mA，但在电容器上并不产生功耗，因为如果电容是一个理想电容，则流过电容的电流为虚部电流，它所作的功为无功功率。</p>

<p>纳芯微（NOVOSNS）推出了全新通用CAN接口芯片---NCA1042，隔离CAN接口芯片---NSI1042，可广泛适用于工业、电力、通信和楼宇自动化等各领域中的控制总线设计，例如工控、电梯、安防、电单车、电力电子等应用场合。</p>

<p><em>作者： Digi-Key 工程师 Barley Li</em></p>

<p>在热插拔应用中，如果出现较大的过流故障，保护IC就会迅速切断电流，以保护附近的组件不受损坏。这种电流快速关断（可能从50 A（过流）到0 A（保护关断））将在几十纳秒内发生，并导致大电流瞬变（di/dt），如以下公式所示。</p>

<p><em>新的TWS开发套件可缩短原始设备制造商的设计周期，并加快具有高级功能的TWS产品的上市。</em></p>

<p>近日，英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN)&nbsp;陶瓷。该器件采用半桥配置，&nbsp;EasyDUAL 1B封装的导通电阻（R_&nbsp;DS(on)）为11 mΩ，EasyDUAL 2B封装的导通电阻（R_&nbsp;DS(on)）为6 mΩ。升级为高性能AIN后，该1200 V器件适合用于高功率密度应用，包括太阳能系统、不间断电源、辅助逆变器、储能系统和电动汽车充电桩等。</p>

<p><strong>选定方法</strong></p>

<p><strong><img alt="选定方法" data-entity-type="file" data-entity-uuid="3a57fba4-7041-4a2b-ab8c-a004b72aacd3" src="/sites/default/files/inline-images/1_200.png" /></strong></p>

<p><em>作者：Reza Behtash，<a href="https://efficiencywins.nexperia.cn/efficient-products/Why-Trench-Schott…;

<p><em>作者：王小六，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/24sTm77pvbsj3E2vyJ0RJw">RFID世界网</a></em></p&…;

<p>简单来说，RFID技术的诞生，可以追溯到上世纪四十年代的二战时期。</p>

<p>从市场发展的角度来看，RFID进入商用阶段，大约有三十多年历史。</p>

<p><strong>一、特种二极管</strong></p>

<p>1. 快恢复二极管(FRD)----快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降为0.6V~1V，正向电流为几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百伏特至几千伏特，可用作开关电源中的输出整流管、一次侧钳位保护电路的阻塞二极管。</p>

<p><strong>射频术语简介</strong></p>

<p>本文将涵盖一些与Digi-Key在售天线产品的相关术语（也适用于接收器、发射器和收发器，以及任何与RF相关的器件）。对于刚开始研究这类技术的客户而言，有些术语可能相当令人困惑。</p>

<p><strong>分贝</strong></p>

<p>分贝是以对数刻度表示一个值与另一个值之比的测量单位。在音频领域，分贝（dB）是用来衡量声音强度的单位。RF应用还会使用不同形式的分贝，如dBA、dBm（有时只写作dB）、dBi和dBV。由于dB是“无单位”的，所以在讨论特定值时会添加某些后缀。以下列出了各单位的用途：</p>

<p><em>新器件提高系统可靠性；支持低成本的四层 PCB 板</em></p>

<p>瑞萨电子今天推出了 RAA215300 PMIC（电源管理 IC），该产品经过优化以补充瑞萨为 AI 设计的 RZ/V2L 和 RZ/G2L 微处理器 (MPU) - 启用的应用程序。新的高性能 PMIC 提供了广泛的功能，包括九个通道、一个内置充电器和一个实时时钟。新器件的高度集成降低了设计复杂性，加快了客户的上市时间。</p>

<p><strong>关于晶体管ON时的逆向电流</strong></p>

<p>在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。</p>

<p><img alt="电极" data-entity-type="file" data-entity-uuid="1559b072-8dd8-40bb-9167-ce9de5d0a2a0" src="/sites/default/files/inline-images/1_199.png" /></p>

<p>全球被动元件领导厂商-国巨集团，为因应快速成长的电动车及5G通讯市场需求，主推半导体扩散工艺制成的瞬态抑制二极体(TVS)保护元件。</p>

<p>TVS是采用半导体扩散工艺制成的单个 PN 结或多个 PN 结集成的元件。 TVS具有较高的可靠性，以及较低的动态内阻及低钳位电压，相较其他过压保护元件，TVS具有较快的回应速度。 TVS具备击穿电压精度高的特性，击穿电压一般为±5%的偏差。基于上述优点适用于对保护器件要求较高的场合，如: 汽车电子、工业 控制、照明及通信等产业 ; DC电源线、RS485 介面、通信电源及I/O 接口的应用等。</p>