技术
<p>本文详细叙述了实际使用时对IPM模块的各种结温的计算和测试方法，从直接红外测试法，内埋热敏测试，壳温的测试方法，都进行详细说明，以指导技术人员通过测量模块自带的Tntc的温度估算或测试IPM变频模块的结温，然后利用开发样机测试结果对实际产品进行结温估算标定，评估IPM模块运行的可靠性。</p>
<p>基本电路：一般直流稳压电源都使用220伏市电作为电源，经过变压、整流、滤波后输送给稳压电路进行稳压，最终成为稳定的直流电源。这个过程中的变压、整流、滤波等电路可以看作直流稳压电源的基础电路，没有这些电路对市电的前期处理，稳压电路将无法正常工作。</p>
<p><strong>1、变压电路</strong></p>
<p>在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。而且在很多场合下，由于对光耦的工作原理理解不够深入，光耦接法混乱，往往导致电路不能正常工作。本研究将详细分析光耦工作原理，并针对光耦反馈的几种典型接法加以对比研究。</p>
<p><strong>1、典型接法及其工作原理</strong></p>
<p><strong>何谓总栅极电荷（Qg）？</strong></p>
<p>"总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。"<br />
单位为库仑（C），总栅极电荷值较大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。数值越小，开关损耗（切换损耗）越小，从而可实现高速开关。</p>
<p><strong>总栅极电荷和导通电阻</strong></p>
<p><strong>1. 电感和电感器</strong></p>
<p>电感（inductor）是一个绕在磁性材料上的导线线圈（coil），电感通以电流时产生磁场（magnetic field），磁场很懒，不喜欢变化，结果呢，电感就成为阻碍其电流（current）变化的元件。</p>
<p>如果流过电感的电流恒定，电感就很高兴，不用对电子流出任何力（force），此时的电感线圈就是普通导线。</p>
<p><em>作者：Art Pini，Digi-Key 北美编辑，文章来源：</em><a href="https://www.digikey.cn/zh/articles/the-fundamentals-application-of-zene…;
<p><strong>编者按</strong></p>
<p>功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。</p>
<p>内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。</p>
<p><strong>电气特性</strong></p>
<p>使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。为防止这种情况，需要检查实际使用状态，并确认在使用上是否有问题。这里说明一下具体的判定方法。为安全使用晶体管，请务必作为参考。</p>
<p><strong>判定前：晶体管的选定～贴装的流程</strong></p>
<p><strong>1. 晶体管的选定</strong><br />
从Web、Shortform产品目录上选定满足规格要求的晶体管。<br />
晶体管产品页</p>
<p><em>作者： Digi-Key 工程师 Barley Li</em></p>
<p>固态继电器 只需要很小的功率就能工作，所以即使是很小的感应噪声也足以导致系统故障。为了避免电感噪声，在电路板布局中注意选择正确的电线并合理安排布线路径是很重要的。</p>
<p><strong>1. 电线选择</strong><br />
请勿将电源线放置在输入线旁边，因为这容易导致感应噪声，从而影响固态继电器。如果感应噪声出自固态继电器的输入端，可以使用以下电缆予以解决。</p>
<p>近年来，气压传感器开始广泛集成在智能手机、智能手表和可穿戴设备中，并在智能设备中大放异彩。今天小编就来带大家盘点下关于气压传感器最近出现的五种新玩法。</p>
<p><strong>1. 无人机定高</strong></p>
<p><strong>玩法介绍</strong></p>
<p>器件缓冲似乎是处理开关过冲、振铃和损耗的一种“野蛮”解决方案，而这对于诸如IGBT之类较老的技术来说确实如此。但是，宽禁带器件，尤其是SiC FET，可以将该技术用为栅极电阻调谐的优良替代方案，以提供较低的总损耗。</p>
<p>在这个宽禁带半导体开关的新时代，器件的类型选择包括SiC MOSFET和GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），它们都有自己特性并都声称拥有最佳的性能。但是，这两种都还不是理想的开关，这两种类型的器件都在某些方面有局限性，特别是在栅极驱动要求方面和“第三象限”操作方面。</p>
<h3>SiC FET提供了另一种选择</h3>
<p>要想搭建一个优秀的电力电子系统，正确的功率器件选型首当其冲。然而很多新入行的同学恐怕会对IGBT冗长的料号略感头痛，但实际上功率器件的命名都是有规律可循的。几个字母和数字，便能反映比如电压/电流等级、拓扑、封装等等丰富的信息。如果熟悉了命名规则，不用看规格书，就能对器件特性了解个大概。</p>
<p>这篇文章介绍了英飞凌IGBT模块的命名规则，虽然字数不多，但强烈建议大家收藏，以备随时查阅。</p>
<p>先来看下英飞凌IGBT模块的一般命名原则：</p>
<p>SBD是由半导体与金属的接合形成的单极器件。原则上，SBD没有反向恢复时间，不像使用pn结二极管会引起问题。因此，SBD有助于大幅度降低关断时的开关损耗。</p>
<p>因为传导是由空穴和电子引起的，所以pn结二极管是双极的。pn结二极管具有反向恢复时间，因为在关断期间少数载流子（p层中的电子和n层中的空穴）会保留在结处。相反，单极的SBD没有反向恢复时间。但由于金属和半导体接合处的耗尽区具有电容，因此其充电和放电将产生电流流动。虽然该电容是温度和反向偏压的函数，但在典型的SiC SBD应用所工作的高压区几乎不受影响。</p>
<p><em>作者：Stanley Dai，<a href="https://e2echina.ti.com/blogs_/b/power_house/posts/buck">TI E2E™ 中文设计论坛</a></em></p>
<p>上篇解释英飞凌IGBT模块命名规则的文章：<a href="http://murata.eetrend.com/article/2021-08/1004695.html">英飞凌IGBT模块命名规则</…;。我司作为IGBT大厂，除了种类繁多的模块型号，还有单管型号也是数不胜数。好在单管封装没有那么多复杂的拓扑，封装形式也有限。因此IGBT单管的命名规则相对简洁一些。</p>
<p>随着以自动驾驶为目的的汽车多功能化不断发展，ADAS的各类ECU耗电量不断增加，安装于发动机舱等机构部分附近的电子控制单元（ECU）的机电一体化不断发展。为此，一辆汽车中搭载的电子设备、电子元件呈不断增加的趋势，用于电子设备中的电子元件可靠性对汽车整体的可靠性影响越来越大。</p>
<p><strong>用于汽车的电子元件所要求的可靠性</strong><br />
伴随车载电子设备的小型化及高功能化发展，电子元件搭载数量不断增加，在严酷环境下使用的情况也不断增加，因此对于电子元件提出了以下3点要求。<br />
·小型化<br />
·高性能化<br />
·高可靠性化</p>
<p><strong>结点温度的计算方法1：根据周围温度（基本）</strong></p>
<p>结点温度（或通道温度）可根据周围温度和功耗计算。根据热电阻的思考方法，</p>
<p><img alt="结点温度" data-entity-type="file" data-entity-uuid="4190e67d-287b-4c87-a709-ae58d0190f13" src="/sites/default/files/inline-images/1_10.PNG" /></p>
<p>肖特基二极管（SBD）具有反向恢复时间（trr）短、正向电压（VF）低等优点，但也存在泄漏电流大等缺点。东芝的SiC SBD使用改进的结构克服了这个缺点。</p>
<p data-navititle="JBS结构降低泄漏电流（I<sub>R</sub>） "><strong>JBS结构降低泄漏电流（I<sub>R</sub>）</strong></p>