技术
<p>在电源与充电桩等高功率应用中，通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管。这是因为大多数微控制器输出并没有针对功率晶体管的驱动进行优化，如足够的驱动电流和驱动保护功能等，而且直接用微控制器来驱动，会导致功耗过大等弊端。</p>
<p>功率半导体开关通常在用于电路设计时，能够在不增加开关损耗的情况下减小电流传导期间的损耗，这是其一大优势。在各种电路保护应用中，器件需要连续传送电流，较低的传导态损耗有利于使系统保持较高的效率，并将产生的废热降至最低。如果在这些应用中需要放心地使用这些功率开关，必须满足各种类型的耐用性标准。</p>
<p>“半导体”是一种特性介于“导体”和“绝缘体”之间的物质，前者像金属一样导电，后者几乎不导电。电流流动的容易程度与物质电阻的大小有关。如果电阻高，电流很难流动；如果电阻低，电流容易流动。</p>
<p>用电阻系数表示电导率时，半导体的电阻系数分布在10-4至108 Ωcm之间，导体的电阻系数分布在10-8至10-4Ωcm之间，绝缘体的电阻系数分布在108至1018Ωcm之间。</p>
<p>压力传感器是传感器中较大门类，广泛应用于汽车、工业、物联网等领域，陶瓷电容作为压力传感器中一种主要技术路线，具有耐腐蚀、抗冲击、介质兼容性好的优点，。本文介绍陶瓷电容原理及典型应用，以供压力传感器工程人员参考。</p>
<p><strong>常用压力传感器技术类型</strong></p>
<p>压力传感器一般用于对传感器敏感器件所处气体或液体氛围的压力测量，一般用于反馈给系统主控单元，实现系统精确控制。压力传感器作为传感器中的一大门类，在汽车、工业、家电、消费电子等不同行业均有广泛的应用。常用压力传感器从感测原理来区分，主要包括如下几大类：</p>
<p>钽电容器是一种电介体使用了钽金属的电介电容器。在钽金属粉表面形成五氧化钽膜，作为电介体。其特点如下表所示。相比其他电容器，钽电容器为小型，大容量产品。相比陶瓷电容器等大容量产品，对于电压和温度具有非常高的容量安定性。</p>
<p><strong>电容器特点对比一览表</strong></p>
<p>问一个简单而又很难回答的电路问题：电路中的地线GND，它的本质是什么？</p>
<p>在PCB Layout布线过程中，工程师都会面临不同的GND处理。</p>
<p>这是为什么呢？在电路原理设计阶段，为了降低电路之间的互相干扰，工程师一般会引入不同的GND地线，作为不同功能电路的0V参考点，形成不同的电流回路。</p>
<p><strong>GND地线的分类</strong></p>
<p><strong>1. 模拟地线AGND</strong></p>
<p><em>作者：周利伟 ，文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/6TRUWXnrF7yPQaAtI1ldmQ">英飞凌工业半导体</a></em></p…;
<p><em>作者：法拉电子技术中心 黄顺达</em></p>
<p>所有电容器的性能、储存寿命和使用寿命很大程度取决于他们所在的环境条件。不仅要考虑单一环境因素对电容器的关系，而且必须要考虑这些环境因素不同组合的效应。</p>
<p>影响电容器性能和寿命的主要环境因素是:环境温度、湿度、振动、冲击、加速度及大气压力等，对这些单一的环境因素影响扼要讨论如下：</p>
<p><em>作者：Yalcin Haksoz, 英飞凌科技首席工程师</em></p>
<p><strong>引言</strong></p>
<p>当今的功率变换器设计师正在努力寻找新技术新方法，以进一步提高变换器的效率极限和功率密度极限。基于宽带隙半导体技术的氮化镓（GaN）晶体管是目前最具潜力的技术方向之一。与硅器件相类似，单只GaN晶体管的电流处理能力仍有局限。在大功率变换器设计应用中，并联配置GaN晶体管是目前常用的解决方案。由于GaN晶体管材料和结构的特殊性，其并联配置方案与传统硅晶体管并联配置方案有所不同。</p>
<p>随着产品的电子化和高密度化发展，噪声环境变得越来越差，对于放大传感器等微小信号的运算放大器来说，降噪对策已经成为重要课题。</p>
<p>近年来，已经推出了很多抗雜訊运算放大器，市场对这类产品的需求也与日俱增。在这里介绍一下这些噪声的定义。</p>
<p><strong>噪声特性</strong></p>
<p>噪声通常被称为“EMC（Electromagnetic Compatibility，电磁兼容性）”，是指“不对其他设备产生噪声干扰；即使受到来自其他设备的噪声干扰，仍保持原有的性能”这两种性能。但是，在现场中具体使用时，使用“EMI”和“EMS”这两种由EMC分类出来的表达方式。</p>
<p>光继电器是一种光耦。光耦由输入侧的一个LED和输出侧的一个光电检测器组成，二者在内部组合在一起；光耦产品会因输出侧光电检测器的类型而有所不同。光耦产品的主要类型包括晶体管输出光耦、IC输出光耦、双向可控硅输出光耦和MOSFET输出光耦（称为“光继电器”）。</p>
<p>n型半导体是指以磷（P）、砷（As）或锑（Sb）作为杂质进行掺杂的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子，第V组的磷有五个价电子。如果在纯硅晶体中加入少量磷，磷的一个价电子就可以作为剩余电子自由移动（自由电子*）。当这个自由电子被吸引到“＋”电极上并移动时，就产生了电流流动。</p>
<p>运算放大器中有表示特性的代表性参数。</p>
<p><strong>放大率和电压增益<放大率和电压增益></strong></p>
<p>若给放大电路的输入增加电压，则在其输出时，会出现输入电压放大率的倍数。该放大率用输出电压的大小除以输入电压的大小所得的值表示。</p>
<p><strong>陶瓷电容真的会老化？什么是十倍时？</strong></p>
<p>随着时间的推移，陶瓷电容会因结构的变化而失去一部分容值。这种损耗是无法避免的，但可以测量并确定。原厂通常会使用十倍时作为这一损失的计量单位。</p>
<p><em>作者：周利伟，英飞凌工业功率控制事业部大中华区应用工程师</em></p>
<p>在我们的日常工作中，经常会碰到器件失效或系统故障，这时为了清楚界定失效事件的严重性，就需要定量的来描述具体的失效率，这就需要用专业的术语来沟通，而有的工程师喜欢谈FIT，有的工程师喜欢谈MTBF，其实这两个概念所描述的主体是不一样的，因此有必要在此简析一下。</p>
<p>FIT，是英文Failures In Time的缩写，从其字面意思可知，它是以时间维度来表述失效率的，实际上它是描述“器件”失效率或故障率的单位。故障率(λ)是指正常工作的n个器件在运行一定时间t之后，其中丧失其规定的功能的r个器件所占的比例，公式表述为：</p>
<p>输入偏置电压是指有差分输入电路的运算放大器或比较器带有的误差电压。理想运算放大器或比较器的偏置电压为0V。</p>
<p>给运算放大器或比较器的输入引脚输入同相（相同）电压时，理想运算放大器不会输出偏置电压，但存在输入偏置电压时，就会输出与输入偏置电压相应的输出电压。</p>
<p>将该输出电压控制为0V所需的输入引脚间的电压差被称为输入偏置电压，该值为输入换算值。</p>
<p>作为输入换算表示的优点是，由于运算放大器、比较器可在各种放大率或电路结构中使用，若作为输入换算电压表示，那么就可以轻松地估量其对输出电压的影响。</p>
<p>偏置电压的单位一般表示为[mV]或[µV]。</p>
<p>碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。</p>
<p data-navititle="Si和SiC的物理性质比较 "><strong>Si和SiC的物理性质比较</strong></p>
<p>在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。</p>
<p><strong>MOSFET工作原理</strong><br />
什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体。</p>