技术

通常情况下，ESD设备本身并不能提供足够的保护，因此会导致芯片组过早出现故障。本文列举了一些指导原则，为设计人员加强板载ESD保护提供参考。

IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。

直接数据频率合成器（DDS）因能产生频率捷变且残留相位噪声性能卓越而著称。另外，多数用户都很清楚DDS输出频谱中存在的杂散噪声

本文提出了一种基于 GaN 场效应晶体管 (FET) 的 10kW 串式逆变器。我们还将探讨 GaN 的优势，并重点介绍为住宅太阳能应用构建此类系统的优势。

本文将通过案例展示虚拟制造在DRAM鞍形鳍开发中的应用，并评估DRAM器件在不同轮廓下的电学性能。该方法可为工艺与整合团队制定DRAM器件的工艺配方和规格提供指导。

在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章节主要介绍全SiC和混合SiC的SLIMDIP产品。

全球道路安全监管机构正加速推广自动紧急制动系统以提升道路安全。在美国，国家公路交通安全管理局已出台强制性法规

本文着重介绍了不同的三相四线变换器拓扑形式特点以及相应的调制方法

在开始新的隔离式DC-DC设计时，系统工程师必须解决所有这些难题。系统工程师需要一种体积小、成本低、高度可靠且易于设计的解决方案。

共模浪涌以前没有特别关注过，最近看到几个类似的应用，因此结合DeepSeek强大的功能与网上搜集到的经验分享，稍作整理归纳，供被共模浪涌困扰的小伙伴简单参考。

本文将为大家分享 DC/DC 转换器选型的三个要点，以及电感器选型的计算方法。

高性能计算的发展，也推动着存储技术的演进，这些年固态硬盘（SSD）市场的火热，就是一个例证。

本应用说明对比了保护安装在PCB上的电子元器件的两种主要方法：敷形涂层（conformal coating）和灌封（potting）。每种技术都具有显著的优势和劣势

本文主要分享比较常用的几个功能模块过压与过流保护方案，这些方案在现有消费类以及工业类应用都有迹可循。

本文介绍了有源（而不是无源）缓冲器及其相关控制，该缓冲器可更大限度地减小整流器电压应力，从而实现更高的转换器效率

本文中介绍的绝缘监测电路使用固态继电器NSI7258通过电池正母线对地、负母线对地绝缘电阻的计算和监测来判断绝缘性能，实现高精度和高可靠性的绝缘监测。

本期，我们将介绍谐振转换器同步整流器 (SR)设计注意事项。

在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章节主要介绍超小型全SiC DIPIPM。

本文中，DigiKey深入探讨电源拓扑结构与设计要点，涵盖线性电源与开关电源特点，及SMPS多种类型，助力精准选型与高效设计。

BAW 时钟能够在 10 年内保持 ±25ppm 的稳定性，可在整个系统寿命期间提供高精度，从而降低因频率漂移导致传感器精度受到影响的风险