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导通电阻降 48.2%，Vishay Gen 4.5 650V MOSFET 开启高效电源新时代

judy -- 周三, 04/16/2025 - 11:15

超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率

judy -- 周二, 04/15/2025 - 15:27

这些器件采用夹片式TO-247 封装形式，可直接安装在散热器上，具有高达 75 J/0.1 s的高脉冲吸收能力和 150 W的大功率散热能力

judy -- 周一, 04/07/2025 - 16:17

在工业设备、医疗仪器及户外机械等场景中，操作旋钮的可靠性直接影响用户体验与工作效率。传统旋钮常面临两大痛点：戴手套时操作不灵敏，以及严苛环境下耐用性不足

judy -- 周三, 03/05/2025 - 14:58

这些器件采用紧凑型QFN封装，可提供更宽的电压范围、增强的黑暗环境灵敏度，以及在强DC光和Wi-Fi噪声下的更优性能

judy -- 周四, 02/27/2025 - 10:31

40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC

judy -- 周四, 02/06/2025 - 11:08

这些节省空间的器件采用3 mm x 4 mm x 4 mm的尺寸紧凑，具有IP67密封等级，可在+150 °C的高温下运行

judy -- 周四, 12/19/2024 - 10:20

器件采用0102、0204和 0207封装，TCR低至 ± 15 ppm/K，公差仅为 ± 0.1 %，阻值高达10 MW

judy -- 周三, 12/04/2024 - 16:30

器件占位面积小，采用BWL设计，I_D高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可优化热性能

judy -- 周四, 11/28/2024 - 14:59

器件通过AEC-Q200认证，额定脉冲循环为100 000次，功率耗散高达35 W

judy -- 周二, 11/26/2024 - 11:11

器件Qrr低至105 nC，VF为1.10 V，在降低开关损耗的同时，可降低寄生电容并缩短恢复时间