功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量
judy -- 周二, 11/26/2024 - 17:43
功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。
英飞凌
有延迟环节的burst控制中得到响应时间变化规律的仿真分析方法
judy -- 周一, 11/25/2024 - 14:47
本文通过对一种有延迟环节的burst控制方法的分析，提出一种可用于工程实践的方法
功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
judy -- 周三, 11/06/2024 - 11:15
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计
如何利用英飞凌MOTIX™ embedded power硬件机制标定小电机ECU
judy -- 周四, 10/31/2024 - 10:26
英飞凌MOTIX™ MCU专为实现一系列电机控制应用的机电电机控制解决方案而设计，在这些应用中，小尺寸封装和最少数量的外部组件是必不可少的
功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联
judy -- 周三, 10/30/2024 - 11:54
功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。
功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻
judy -- 周二, 10/29/2024 - 16:52
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率
英飞凌推出EiceDRIVER™ 125 V高边栅极驱动器
judy -- 周五, 10/25/2024 - 17:46
该半导体器件具有高栅极电流能力，可实现高边N沟道MOSFET的快速导通和关断
采用IGBT5.XT技术的PrimePACK™为风能变流器提供卓越的解决方案
judy -- 周三, 10/23/2024 - 15:22
在本文中，我们详细描述了优化过程的关键组件，并对开发过程中的重点进行了评述。
IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱
judy -- 周三, 09/18/2024 - 17:30
本文将探讨英飞凌在混合式功率半导体创新技术方面为高效牵引逆变器在效率、成本和可持续性之间寻找更好的平衡点。
什么是IGBT的退饱和（desaturation）？ 什么情况下IGBT会进入退饱和状态？
judy -- 周二, 08/20/2024 - 11:53
IGBT和MOSFET有类似的器件结构，MOS中的漏极D相当于IGBT的集电极C，而MOS的源极S相当于IGBT的发射极E