SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀
judy -- 周二, 10/24/2023 - 14:43
本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管将电动汽车的续航里程延长多达 5%
为智能硬件开发者、创客提供有关基于英特尔嵌入式处理器的应用技术介绍和合作伙伴方案介绍
本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管将电动汽车的续航里程延长多达 5%
本文将为大家介绍钽电容器技术的优势。
电动汽车设计人员需要提高充电器的功率输出、功率密度和效率,以实现终端用户期望的快速充电
电源设计人员面临着提供更高效、更可靠和体积更小的解决方案的挑战,他们正在寻求 SiC 等新技术来帮助他们应对这些挑战并降低总成本。
随着医疗保健的不断发展,医生建议采用数字疗法也变得司空见惯(可以想见,医生总有一天会把某个应用程序写进处方里)。
Nexperia(安世半导体)的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力,实现更高的电流密度和系统可靠性。
随着技术推进到1.5nm及更先进节点,后段器件集成将会遇到新的难题,比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程
本文通过这六个典型应用事例,对LPWA实际被如何应用在什么样的用途进行介绍。
在人工智能(AI)、机器学习(ML)和数据挖掘的狂潮中,我们对数据处理的渴求呈现出前所未有的指数级增长
电动汽车的发展正在稳步驶入快车道。根据IEA的《Global EV Outlook 2023》显示,2022年全球电动汽车的销量突破了1,000万辆