技术

SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅

电子设备为我们的世界提供动力，让通信得以进行。在所有需要信号完整性和精确功率放大的应用中，都需要使用隔直电容来提供清晰的波形和合适的放大电压。

随着科技和智能设备的飞速发展，越来越多的电子产品应运而生，但随之而来的电磁辐射问题也越来越多

边缘计算系统想要支持机器学习与推理并实现 GPU 级别的计算性能，就需要高性能 DRAM 解决方案

本文介绍选择栅极电阻时的考虑因素，如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、寄生电感等

在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要

本文将详细介绍800G OSFP VR8模块的技术特点、应用场景和优势，为相关领域的技术人员和用户提供参考

相比于以前的IGBT4或IGBT5产品，新的IGBT7产品进一步拓展了PrimePACK™封装电流等级，而且极大地提升了模块的功率密度

电磁干扰是无线通信中的一个严重问题。为了确保数据传输的安全性，有必要尽量减少这种干扰

在本博客中， Nexperia（安世半导体）讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道，以便设计人员选择更合适的封装。