株式会社村田制作所现已开发出用于汽车动力传动系统和安全设备的多层陶瓷电容器“GCM31CC71C226ME36”，并开始批量生产。该产品在1206 inch（3.2×1.6mm）尺寸/16V的额定电压下可实现22µF的超大静电容量。

我们的Digi-Key工程师经常收到客户这样的问题：如何从没有额定电压标记的铝电解电容上确认它的额定电压?

埃赛力达科技近日宣布推出全新的µPAX-3脉冲氙光源。µPAX-3将创新的灯管设计与最先进的电路和元件结合在一个封装光源中，可提供微秒级持续脉冲的宽带光，并具有优异的光弧稳定性。

基于完全可扩展、高能效比的 CVflow® 架构，CV3 系列 SoC 可为汽车行业提供业内最高的AI处理性能—算力高达 500 eTOPS，比安霸上一代车规级 SoC CV2 系列提高了 42 倍。

本文中的光耦振荡电路则是利用了电流转移系数大于1所带来的电流增益而工作的。通过对PC851、TLP521的电流转移系数的测量，获得了它们电流增益随着工作电流不同变化情况，也验证了光耦震荡电流的工作原理。

Summit Wireless科技宣布：已经与乐鑫信息科技（Espressif Systems）合作开发了一款全新的2.4GHz无线音频模块，它能够提供与价格昂贵的5GHz模块解决方案相媲美的可靠性和质量。

前几篇文章我们讨论了关于，基本半导体和本征半导体的关系以及将本征半导体中掺入，不同的杂质，会出现不一样的物理现象。但仅仅这样好像对电路进步没有太大的作用。如果将这两个杂质半导进行结合呢？

近年来，人们对固态断路器和固态功率控制器的兴趣越来越浓厚。鉴于SiC JFET在高额定电压下具有低开态电阻而且它在需要时进行限流的能力毫不逊色，它们一直被视为此应用的理想器件。我们调查了常关型SiC FET在双栅极结构中的使用情况，以简化大电流直流断路器和交流断路器的开发

今天给大家分享一个串扰引发损耗变大的问题。这类问题经常出现在小型化的产品、连接器、线缆等产品中。

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低