东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始量产M4G组中用于高速数据处理的20种新器件。M4G组是TXZ+^TM族高级系列的新成员，采用40nm工艺制造。这些产品采用带FPU的Arm Cortex-M4内核，运行频率高达200MHz，内部集成2MB代码闪存和32KB数据闪存，具有10万次的写入周期耐久性，此外还提供了丰富的接口和通信选项。

Qorvo宣布，Murata 采用Qorvo IC推出了小型超宽带技术 (UWB) 模块，尺寸仅为 10.5 mm x 8.3 mm x 1.44 mm。该模块具有高精度、高可靠性和低功耗等特性，可确保紧凑的电池驱动型物联网设备以尽可能高效且经济的方式运行。

• 工作温度可达125℃

• 高耐用的导电树脂基电极

TDK株式会社推出用于汽车的KCZ1210AH系列小型共模滤波器。该系列产品设计紧凑，尺寸为1.25（长）x1.0（宽）x0.5（高）mm，有助于减少其在基板上所占的空间，并为汽车的不同传输信号线提供了噪声控制功能。

与第一代产品相比，低功耗 SPAN AEC将功耗降低了 50%，线缆长度增加了40%

随着产品的电子化和高密度化发展，噪声环境变得越来越差，对于放大传感器等微小信号的运算放大器来说，降噪对策已经成为重要课题。

近年来，已经推出了很多抗雜訊运算放大器，市场对这类产品的需求也与日俱增。在这里介绍一下这些噪声的定义。

噪声特性

作者：Yalcin Haksoz, 英飞凌科技首席工程师

引言

作者：法拉电子技术中心 黄顺达

所有电容器的性能、储存寿命和使用寿命很大程度取决于他们所在的环境条件。不仅要考虑单一环境因素对电容器的关系，而且必须要考虑这些环境因素不同组合的效应。

影响电容器性能和寿命的主要环境因素是:环境温度、湿度、振动、冲击、加速度及大气压力等，对这些单一的环境因素影响扼要讨论如下：

Murata MGJ2 2W双极输出SMT直流-直流转换器非常适合用于为工业、可再生能源和移动应用中的IGBT和基于SiC的MOSFET高压栅极驱动器的“高侧”和“低侧”栅极驱动电路供电。这些器件的额定功率为2W，具有紧凑的薄型外形模块，尺寸为19.49mm x 14.99mm x 4.39mm。

硅（Si）和锗（Ge）是众所周知的半导体材料。当它们是纯晶体时，这些物质接近绝缘体（本征半导体），但是掺杂少量的掺杂剂就会导致电阻大幅度下降，变成导体。

根据掺杂剂的种类，可以制成n型或p型半导体。

由几种元素制成的半导体称为化合物半导体，它们与硅半导体等由单一元素制成的不同。具体组合有元素周期表第III组和第V组、第II组和第VI组、第IV组等。

全球第一大MLCC制造商村田制作所，由于新冠疫情关系，在8月最后一周，停工了位于日本福井县的MLCC主力制造工厂武生事务所，并于9月1日，全面复工。外界普遍推测，正值iPhone 13的发布前夕，MLCC的短暂停工，可能会影响到iPhone、以及Sony Play Station在内相关产品的生产计划。