SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作
judy -- 周二, 01/11/2022 - 10:50
从本文开始,我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”。
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T5828 SoundWire™ MEMS 麦克风具有 133dB SPL 的高声学过载点 (AOP)、68dBA 的高信噪比和宽动态范围,适合于从非常安静到非常响亮的应用环境。
T5837/38 PDM MEMS 麦克风具有133dB SPL 的高声学过载点 (AOP),68dBA 的高信噪比 和宽动态范围,适合于从非常安静到非常响亮的应用环境
硬件工程师,应该都用过二极管的吧,不过也许有一个误区,大多数人可能并不知道,或者说是理解有问题,下面就来细细说下。
ICM-45xxx 系列提供全新的自校准功能,允许在芯片上完成灵敏度校准,从而可使陀螺仪传感器寿命周期内的精度提高 10 倍,这能够减少整体旋转角度误差
在平时中,我个人经常遇到的推挽电路是第一种。当我每次问身边的工程师:“为什么不选择使用第二种?第二种是上P下N型,这样的管子在实际中用起来,理论中比上N下P型更有优势呀。
知名供应商包括 Siemens、Schneider 和 QuickLogic
近日,来自Yole Développement及其旗下咨询公司System Plus Consulting的两位分析师共同对谷歌最新推出的5G Pixel 6进行了拆解和研究
电源设计者如今面临两个主要问题:消除有害的输入谐波电流和确保功率因数尽可能地接近于1。有害的谐波电流会导致传输设备过热,并带来后续必须解决的干扰难题
数字开关通常使用MOSFET来创建,但是对于低饱和电压的开关模型,双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用,它们不仅可以提供出色的电流放大效果,还具有成本优势。