漏极和源极之间产生的浪涌

漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史

一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中,我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展

功能安全如何提高汽车安全性

美光 LPDDR5 是业界首款通过 ISO 26262 ASIL-D 认证的内存。美光内存产品组合符合 JEDEC 标准并通过了汽车级认证,可满足汽车行业对 LPDRAM 的要求,支持功能安全需求。

Senseeker推出面向短波红外和量子点探测器的低噪声数字读出电路

Neon RD0033具有三重增益模式和10 μm间距像素,并具有高工作温度的电容跨阻放大器(CTIA)前端电路。

比Wi-Fi快100倍,新的网络标准发布

电气和电子工程师协会 (IEEE) 已将 802.11bb 添加为基于光的无线通信标准。该标准的发布受到了全球Li-Fi企业的欢迎

东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率

新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属,优化了第2代产品的结势垒肖特基(JBS)结构。

EDA行业反常,在2023年Q1持续两位数增长

近日SEMI 技术社区ESD联盟宣布,电子系统设计 (ESD) 行业收入增长 12%,从 2022 年第一季度的 35.277 亿美元增至 2023 年第一季度的 39.511 亿美元。

三星宣布开始量产其功耗最低的车载UFS 3.1存储器解决方案

全新UFS 3.1解决方案为IVI系统进行了优化,功耗降低33%,进一步为未来车载应用赋能

Nexperia推出纽扣电池寿命和功率增强器

实现长达10倍电池寿命,扩展在物联网设备中的应用范围

以“创新”“匠心”助力技术发展,村田在慕尼黑电子展呈现全线产品

全方位地展示了村田在通信、移动、健康和工业+环境四大事业领域应用广泛的全线系列产品及完整解决方案。