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快讯

三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

在相同封装尺寸下,容量是16Gb内存模组的两倍,功耗降低10%,且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装

与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%,关断损耗降低了约34%

Vishay推出具有调制载波输出功能,适用于代码学习应用的微型红外传感器模块

器件配置内部设计的新型IC,以引脚兼容方式替换前代解决方案,功耗降低50 %,同时改善性能

多维科技推出新型10pT级高精度低噪声线性磁传感器 — TMR8501

该传感器内部集成了磁场反馈线圈和信号调理电路,可实现10 pT/√Hz@1Hz的低噪声,以及0.05%级线性度、40 PPM级灵敏度温度漂移、500 kHz级带宽,可实现对微弱磁场的高精度快速实时测量

芯海科技新一代EC芯片CSCE2010即将推出 PC生态布局持续完善

CSC2E101是一款主要服务商用级PC市场的32位高性能笔记本电脑EC,具备高性能、高安全、易开发三大特性,针对高端商用市场设计开发

里程碑!中国移动成功研制“破风8676”可重构5G射频收发芯片

“破风8676”芯片是国内首款基于可重构架构设计,可广泛商业应用于5G云基站、皮基站、家庭基站等5G网络核心设备中的关键芯片

长光辰芯发布8K APS-C画幅背照式堆栈CMOS图像传感器

GCINE3243采用了先进的混合堆栈背照式(hybrid stacking BSI)工艺,在保证高量子效率前提下实现了8K超高分辨率下更快的读出速度。

MLCC小间距环保胶带,为提高生产效率做贡献

村田官网陶瓷电容器产品页面最近介绍了新包装方式提案,建议针对0201, 0402, 0603 inch 尺寸使用小间距环保胶带

GaN和SiC,最新判断!

据Yole预测,预计到 2028 年,功率 GAN 市场将占电力电子市场的 6% 以上。其中,消费类快速充电器和适配器仍然是 Power GaN 的主要驱动力

助力能源互联网全面监测,这些感知芯片必不可少

能源互联网这一概念兴起于2010年前后,是指在传统能源系统中增加互联网技术,整合能源数据,实现规模电力消耗预测,优化电网运行以节省能耗

东芝开发出首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化

新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用

上海贝岭BL370X系列低噪声、高带宽、低失调、工业级运放

BL370X为工业级应用产品,工作温度范围-40℃至+125℃,可广泛使用于电机控制、家用电器控制面板、电池管理系统、手持式测试设备、工业自动化、以及光伏逆变等行业。

圣邦微电子推出 2A、高精度、低噪音、低压差线性稳压器 SGM2049C

SGM2049C 是一款高精度、低噪声、低压差的线性稳压器。它能够提供 2A 输出电流,典型压差仅为 80mV。

巧用降压芯片生成负电压及Vishay功率IC产品介绍

本文介绍基于Vishay SiP12109 COT BUCK拓扑的同步降压转换器产生负电压, 通过简单修改电路的参考节点

多维科技推出17位高速TMR磁编码器芯片 — TMR3107和TMR3108

多维科技TMR3107和TMR3108磁性旋转编码器芯片具备优良的温度稳定性,在全温区(-40℃~125℃)范围,绝对角度精度优于±1°。该2款芯片的角度自动校准功能可极大地便利客户使用

四维图新旗下杰发科技正式推出第三代M0+内核芯片AC7803x

AC7803x采用Arm Cortex M0+内核,主频达到64 MHz,具备高可靠性,符合AEC-Q100车规要求

新一代数据中心的连接之“道”

打造新一代的数据中心,需要有多维度的技术考量,比如更高性能的计算架构、更大容量的高速存储、更大功率的配电系统

英诺赛科推出2.4KW Buck/Boost,应用于48V轻混系统

针对汽车电子中的48V轻混系统应用,英诺赛科推出了2.4kW 双向buck/boost 参考设计,为48V轻混系统提供先进解决方案。

帝奥微推出集成比较器和电压基准的高侧测量电流监视器DIA221X

DIA221X具有高精度电流检测,Vos最大值仅为0.2mV,增益误差0.5%,可用于低侧或高侧电流监控器