<p>场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。</p>

<p>可变电容二极管是利用耗尽层电容特性的产品。当施加反向电压时，耗尽层出现在二极管的pn结中，其厚度与反向电压成正比。</p>

<p>因此，随着反向电压的增加，耗尽层厚度增加，但电容减小。其作用与增加电容器两个电极之间的距离相同。相反，如果反向电压减小，耗尽层厚度减小，但电容增加。</p>

<p>它应用于调谐电路等。由于这种电容变化会改变频率特性，因此与普通二极管相比，需要较大的容量变化率。</p>

<p><em><strong>6 Gsps ADC和7 Gsps DAC可用于5G、激光雷达和雷达应用</strong></em></p>

<p>Omni Design Technologies是高性能、低功耗混合信号知识产权(IP)解决方案的领先供应商。公司今天宣布推出通过流片验证的12位6 Gsps模数(ADC)和12位7 Gsps数模(DAC)转换器，均采用台积电行业领先的16纳米工艺。</p>

<p>IGBT7作为英飞凌最新一代IGBT技术平台，它与IGBT4的性能对比一直是工程师关心的问题。本文通过FP35R12W2T4与 FP35R12W2T7在同一平台伺服驱动中的测试，得到了相同工况下IGBT4与IGBT7的结温对比。实验结果表明，在连续大功率负载工况与惯量盘负载工况的对比测试中，IGBT7的结温均低于IGBT4。</p>

<p><em>创新型数字控制振荡器最多可实现高达 90% 的面积减少</em></p>

<p>SiTime公司（NASDAQ：SITM）今天宣布推出 SiT3901 µPower 数字控制 MEMS 振荡器 (DCXO)，该振荡器专门针对空间受限的功耗敏感型移动应用和物联网应用。SiT3901 最多可将无线充电速度加快 25%，同时将整个时序解决方案的占板面积缩小高达 90%。MEMS 振荡器理想适用于智能手表、活动追踪器、助听器和可穿戴设备的无线充电系统。</p>

<p><strong>钽电容器为底面电极结构</strong></p>

<p><em>最高品质的溅射钌触点开关，适用于低电平“干性”切换</em></p>

<p>Diodes 公司 (Nasdaq：<a name="_Hlk64994245"></a><a name="_Hlk83140384">DIOD)</a>宣布推出 PCIe® 3.0 封包切换器 <a href="https://www.diodes.com/part/PI7C9X3G816GP">PI7C9X3G816GP</a&gt;，采用灵活的 2 埠、3 埠、4 埠、5 埠和 8 埠配置，支持 16 信道作业方式。

<p><em>村田制作所已将对应5G毫米波频段并能向2个方向放射电波的小型相控阵天线模块“LBKA系列”商品化。</em></p>

<p><em>目前该产品已开始量产，预定装载于2021年下半年投放市场的智能手机中，为5G对应终端的稳定通信、小型化和降低成本做贡献。</em></p>

<p>近年来，市场上出现了许多对应5G的智能手机，而5G通信使用6GHz以下的频段“Sub-6”和24.25GHz至52.6GHz的频率“毫米波”这2个频段。</p>

<p><em>​​作者：Marian Hryntsiv, Dialog半导体公司（瑞萨全资子公司）文档工程师</em></p>

<p><strong>简介</strong></p>

<p>很多应用在其用户控制界面中采用机械电位计。我们可以将这些机械电位计换成更新且可靠的编码器控制元件和数字变阻器，它们是改变信号电气参数的组件。</p>

<p>肖特基二极管（SBD）是一种采用半导体和金属（比如：钼）结合，而不是采用pn结的器件。一般来说，金属与n型层结合的半导体已经实现了商业化。由于其正向电压小，反向恢复时间短，所以适合于高速开关应用。</p>

<p>对于SBD而言，正向电压（V_F）和反向泄漏电流之间存在折衷关系。</p>

<p>根据所使用的金属，通常来说反向耐受电压约为20至150V，V_F约为0.4至0.7V，低于pn结二极管的值。</p>

<p>具有低正向电压和低泄漏电流的新型结构的SBD也已经实现商业化。</p>

<p>埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT 400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计，其采用了埃赋隆备受业界推崇的第9代28V LDMOS工艺技术。该Doherty晶体管采用气腔塑料（ACP）无耳SOT-1258-4封装制造，通常可提供45%的漏极效率。</p>

<p><em>&nbsp;本文转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/5id-0e_pfDtLrroTxh4e0A">得捷电子DigiKey</a></em>…;

<p><strong>问：压敏电阻规格说明</strong></p>

<ul>
<li><em>凭借其片上光电二极管技术，艾迈斯欧司朗的AS5951针对价格敏感市场中计算机断层扫描仪的32分层探测器提供经济高效的解决方案；</em></li>
<li><em>AS5951采用单芯片集成技术，将A/D转换器、光电二极管阵列和参考电压集成到单个元器件中，有助于系统开发，并降低了材料成本；</em></li>
<li><em>低噪声性能和低光电二极管泄漏电流可确保实现高质量图像和低剂量性能。</em></li>
</ul>

<p><em>&nbsp;作者：王泽龙，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/I3sdJr5Wf4X0qoqkmnZ6cw">凡亿PCB&nbsp;</a></em>…;

<p><em>作者：电子创新网张国斌</em></p>

<p>功率器件，通常也被称为电力电子器件，是在电力系统和电气工程中根据负载要求处理电力转换的器件。作为电子领域的核心成员，大功率半导体器件的技术与工艺对整个电力电子产业有着举足轻重的影响。在PCIM Asia 2021展上，东芝电子元件（上海）有限公司分立器件应用技术部门高级经理屈兴国，向我们分享了东芝在功率器件领域的相关进展。</p>

<p><em>作者：Richard Quinnell，来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/iQPq2OiJDNcgILns6TOJvQ">得捷电子DigiKey</a></em>…;

<p><em>作者：张家瑞、黄正斌、张哲睿，英飞凌科技应用工程师</em></p>

<p>传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。但是采用超级结技术的高压功率晶体，其最大耐压都在1000V以下。如果要能够耐更高的电压，就必须采用碳化硅材料来制造功率晶体。以碳化硅为材料的功率晶体，在碳化硅的高临界电场强度之下，即使相同耐压条件之下，其磊晶层的厚度约为硅材料的1/10，进而其所造成的通态电阻能够有效被降低，达到高耐压低通态电阻的基本要求。&nbsp;</p>

<ul>
<li>以3225尺寸实现了业内最高额定电流*</li>
<li>在宽带通上实现了高阻抗，支持-55℃~+155℃的工作温度范围</li>
<li>符合AEC-Q200标准</li>
</ul>

<p><strong>一、门电路简介</strong></p>

<p>用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路。常用的门电路在逻辑功能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等几种。</p>

<p><strong>二、门电路性质</strong></p>

<p><strong>门电路输入</strong></p>